【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及微波放射机构和表面波等离子体处理装置。
技术介绍
等离子体处理是半导体装置制造中不可或缺的技术,近年来,由于LSI (Largescale integration:大规模集成电路)高集成化、高速化的要求,构成LSI的半导体元件的设计规则也越来越微小化,另外,半导体晶片被大型化,与此相伴,在等离子体处理装置中也要求与这种微小化和大型化相对应。然而,在现有常用的平行平板型、电感耦合型等离子体处理装置中,由于所生成的等离子体的电子温度高,因此导致微小元件产生等离子体损伤,另外,由于等离子体密度高的区域被限定,因此难以均匀且高速地对大型的半导体晶片进行等离子体处理。所以,能够均匀地形成高密度、低电子温度的表面波等离子体的RLSA (RadialLine SlotAntenna:径向线缝隙天线)微波等离子体处理装置受到关注(例如专利文献I)。RLSA微波等离子体处理装置是一种以下的装置:在腔室的上部设置以预定图案形成有多个缝隙的径向线缝隙天线(Radial Line Slot Antenna)作为表面波等离子体发生用天线,使导自微波发生源的微波从天线的缝隙中 ...
【技术保护点】
一种微波放射机构,其在利用在腔室内形成表面波等离子体进行等离子体处理的等离子体处理装置中,将由微波生成机构生成的微波放射到腔室内,所述微波放射机构的特征在于,包括:传送路径,其具有呈筒状的外侧导体和同轴地设置在所述外侧导体中的内侧导体,该传送路径传送微波;天线,其将在所述微波传送路径中传送来的微波经由缝隙放射到所述腔室内;电介质部件,其使从所述天线放射的微波透过,在其表面形成表面波;和直流电压施加部件,其对由所述表面波生成表面波等离子体的等离子体生成区域施加正的直流电压,所述直流电压施加部件对所述等离子体生成区域施加正的直流电压,使得所述表面波等离子体扩散。
【技术特征摘要】
2012.01.31 JP 2012-0181931.一种微波放射机构,其在利用在腔室内形成表面波等离子体进行等离子体处理的等离子体处理装置中,将由微波生成机构生成的微波放射到腔室内,所述微波放射机构的特征在于,包括: 传送路径,其具有呈筒状的外侧导体和同轴地设置在所述外侧导体中的内侧导体,该传送路径传送微波; 天线,其将在所述微波传送路径中传送来的微波经由缝隙放射到所述腔室内; 电介质部件,其使从所述天线放射的微波透过,在其表面形成表面波;和直流电压施加部件,其对由所述表面波生成表面波等离子体的等离子体生成区域施加正的直流电压, 所述直流电压施加部件对所述等离子体生成区域施加正的直流电压,使得所述表面波等离子体扩散。2.如权利要求1所述的微波放射机构,其特征在于: 所述直流电压施加部件为插入到所述等离子体生成区域的直流电压施加探针。3.如权利要求1或2所述的微波放射机构,其特征在于: 通过控制对所述直流电压施加部件施加的直流电压,来控制所述表面波等离子体的扩散。4.如权利要求1或2所述的微波放射机构,其特征在于: 还具有使所述腔室内的负载的阻抗与所述微波生成机构的特性阻抗匹配的调谐器,所述调谐器具有:设置于所述微波传送路径的所述外侧导体和所述内侧导体之间,沿所述内侧导体的长度方向能够移动的由电介质构成的芯子;和使所述芯子移动的驱动机构。5.一种表面波等离子体处理装置,其特...
【专利技术属性】
技术研发人员:池田太郎,长田勇辉,
申请(专利权)人:东京毅力科创株式会社,
类型:发明
国别省市:
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