一种等离子体发生器制造技术

本实用新型专利技术涉及等离子体产生技术。为了解决目前等离子体发生器的两极板间容易堆积尘埃、杂质的问题，本实用新型专利技术提出一种等离子体发生器，包括上极板和下极板，所述下极板上设有若干个凹槽，所述凹槽为矩形，所述凹槽沿等离子体发生器中的气流方向分布，所述凹槽均匀分布，相邻两个所述凹槽之间的距离与所述凹槽的宽度的比值大于等于2。本实用新型专利技术的发生器能够将上极板和下极板之间(或外极板和内极板之间)的杂质尘埃带离，避免杂质尘埃在放电区域堆积，大大降低了尘埃杂质的堆积概率，避免了极板间的打火、短路情况，提升了等离子体发生器的工作稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及等离子体产生技术，具体涉及一种等离子体发生器。
技术介绍
等离子体发生器通常包括两个极板，正高压极板和负高压极板，等离子体发生器就是利用两个极板之间的电位差电离两个极板之间的空气以产生大量的正离子和负离子。目前等离子体发生器的高压极板主要有平板式和管式两种结构。提高等离子体发生器效率的主要途径之一是降低两个高压极板间的距离，但过小的距离容易导致尘埃、杂质的堆积，这将引起极板间的打火甚至使极板间短路而使等离子体发生器失效。
技术实现思路
为了解决目前等离子体发生器的两极板间容易堆积尘埃、杂质的问题，本技术提出一种等离子体发生器，包括上极板和下极板，所述下极板上设有若干个凹槽。其中，所述凹槽为矩形。其中，所述凹槽沿等离子体发生器中的气流方向分布。其中，所述凹槽均匀分布。其中，相邻两个所述凹槽之间的距离与所述凹槽的宽度的比值大于等于2。本技术还提出一种等离子体发生器，包括内极板和外极板，所述外极板上设有若干个凹槽。其中，所述凹槽为矩形。其中，所述凹槽沿等离子体发生器中的气流方向分布。其中，所述凹槽均匀分布。其中，相邻两个所述凹槽之间的距离与所述凹槽的宽度的比值大于等于2。本技术等离子体发生器具有如下的有益效果：本技术等离子体发生器下极板上设有若干个凹槽，这样上极板和下极板之间的间隙就产生变化，气流流经等离子体发生器时，由于上极板和下极板之间间隙的变化而产生节流效应，气流的气压及流速产生变化，从而将上极板和下极板之间的杂质尘埃带离，避免杂质尘埃在放电区域堆积，大大降低了尘埃杂质的堆积概率，避免了上极板和下极板间的打火、短路情况，提升了等离子体发生器的工作稳定性。附图说明图1为本技术平板式的等离子体发生器的结构示意图；图2为本技术管式的等离子体发生器的结构示意图。具体实施方式下面结合附图介绍本技术的技术方案。如图1所示，本技术平板式的等离子体发生器包括上极板10和下极板11，下极板11上设有若干个凹槽12，该凹槽12沿远离上极板10的方向延伸，这样上极板10和下极板11之间的间隙就产生变化，气流流经等离子体发生器时，由于上极板10和下极板11之间间隙的变化而产生节流效应，气流的气压及流速产生变化，从而将上极板10和下极板11之间的杂质尘埃带离、避免杂质尘埃在放电区域堆积，提升了等离子体发生器的工作稳定性。优选地，凹槽12为矩形，沿等离子体发生器中的气流方向均匀分布，相邻两个凹槽12之间的距离a与凹槽12的宽度b的比值大于等于2，以增加节流效应，气流的气压及流速产生较大变化，从而将上极板10和下极板11之间更多的杂质尘埃带离。如图2所示，本技术管式的等离子体发生器包括外极板20和内极板21，外极板20上设有若干个凹槽12，该凹槽12的作用也是使外极板20和内极板21之间的间隙发生变化而产生节流效应，从而利用气流将外极板20和内极板21之间的杂质尘埃带离。优选地，凹槽12为矩形，沿等离子体发生器中的气流方向均匀分布，相邻两个凹槽12之间的距离a与凹槽12的宽度b的比值大于等于2，以增加节流效应。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体发生器，包括上极板和下极板，其特征在于，所述下极板上设有若干个凹槽。

【技术特征摘要】
1.一种等离子体发生器，包括上极板和下极板，其特征在于，所述下极板上设有若干个凹槽。2.根据权利要求1所述的等离子体发生器，其特征在于，所述凹槽为矩形。3.根据权利要求1或2所述的等离子体发生器，其特征在于，所述凹槽沿等离子体发生器中的气流方向分布。4.根据权利要求3所述的等离子体发生器，其特征在于，所述凹槽均匀分布。5.根据权利要求4所述的等离子体发生器，其特征在于，相邻两个所述凹槽之间的距离与所述凹槽的宽度的比值大于等于2。...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈钦松，马瑞恒，张立华，陈旻，
申请(专利权)人：上海东方压缩机厂有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31