等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种等离子体处理装置。该等离子体处理装置能够防止被电介质盖覆盖的其他的构成构件损伤，并且防止沉积物附着于基板。等离子体处理装置（10）包括处理室（3）和电介质盖（12），该处理室（3）用于产生等离子体，该电介质盖（12）在该处理室（3）内与暴露于等离子体的基板（S）相对地配置，电介质盖（12）由多个分割片（13）组合而构成，在相邻的两个分割片（13）的交界处形成的间隙（27）由盖板（17）覆盖，各分割片（13）由盖板（17）支承。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种使用等离子体对大型的基板实施等离子体处理的等离子体处理>J-U ρ α装直。
技术介绍
在FPD (平板显示器)的制造工序中，对FH)用的玻璃基板实施等离子体蚀刻、等离子体灰化以及等离子体成膜等各种等离子体处理。作为进行上述等离子体处理的装置，已知有电感耦合等离子体(ICP)处理装置，该电感耦合等离子体(ICP)处理装置使高密度的等离子体产生并利用该等离子体对玻璃基板实施所希望的等离子体处理。通常，电感耦合等离子体处理装置包括处理室和线圈状的高频天线，该处理室的内部保持气密并用于配置玻璃基板；该线圈状的高频天线配置在该处理室的外部。处理室具有由电介质构成的、兼作顶部部分的电介质窗，高频天线配置在电介质窗的上方。在电感耦合等离子体处理装置中，通过对高频天线施加高频电力，隔着电介质窗在处理室内形成感应电场，利用该感应电场激发被导入到处理室内的处理气体而生成等离子体，使用该等离子体对玻璃基板实施所希望的等离子体处理。在此,若电介质窗的下表面暴露在处理室中，则该电介质窗的下表面会因暴露于等离子体而受到损伤。例如，该电介质窗的下表面由于阳离子的溅射而被切削。由于电介质窗不能够容易地进行装卸，因此即使损伤也不能够容易地进行更换或者清洁。应对此问题而利用由电介质构成的、能够容易地装卸的电介质盖覆盖电介质窗的下表面(例如，参照专利文献I。)。由此，能够保护电介质窗的下表面，能够防止电介质窗损伤。 此外，近年来，由于FPD用的玻璃基板大型化，并且处理室也与此相对应地大型化，因此该处理室的顶部构件即电介质窗也大型化，覆盖该电介质窗的电介质盖也大型化。若电介质盖大型化，则由于难以利用一片构件构成电介质盖，因此，例如，在用于对第4代以后的Fro用的玻璃基板进行处理的电感耦合等离子体处理装置中，如图11所示，电介质盖100由多个分割片101组合而构成。此外，各分割片101利用电介质盖固定器具102a、102b支承下表面,该电介质盖固定器具102a、102b固定在被配置于处理室的顶部的、由招构成的梁上(例如，参照专利文献2。)。专利文献1:日本特开2001 - 28299号公报专利文献2:日本特开2010 - 251708号公报然而，各分割片101受到来自等离子体的热而热膨胀，例如，有时相邻的各分割片101的交界处开裂，由于上述的电介质盖固定器具102a、102b未将相邻的各分割片101的交界处全部覆盖，因此存在当该交界处开裂时电介质窗、梁暴露于等离子体而受到损伤这一问题。此外，存在如下这种问题:在两个分割片101的交界处进入并堆积有反应生成物，若各分割片101的交界处开口，则存在反应生成物剥离而成为颗粒并在处理室内浮游，并作为沉积物附着于玻璃基板。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种能够防止被电介质盖覆盖的其他的构成构件损伤、并且防止沉积物附着于基板的等离子体处理装置。为了实现上述目的，技术方案I所述的等离子体处理装置包括处理室和电介质盖，该处理室形成在其中产生等离子体的处理空间，该电介质盖在该处理室内与暴露于上述等离子体的基板相对地配置，其特征在于，上述电介质盖由多个分割片组合而构成，相邻的两个上述分割片的交界处由盖板覆盖，各上述分割片由上述盖板支承。技术方案2所述的等离子体处理装置的特征在于，在技术方案I所述的等离子体处理装置中，在上述相邻的两个分割片的交界处设有预定的宽度的间隙。技术方案3所述的等离子体处理装置的特征在于，在技术方案I或2所述的等离子体处理装置中，上述盖板覆盖相邻的两个上述分割片的全部交界处的90%以上。技术方案4所述的等离子体处理装置的特征在于，在技术方案I至3中任一项所述的等离子体处理装置中，该等离子体处理装置还包括用于供给处理气体的气体供给部，上述盖板介于上述气体供给部和上述处理室之间，并且上述盖板具有连通上述气体供给部和上述处理室的气体导入孔。技术方案5所述的等离子体处理装置的特征在于，在技术方案I至4中任一项所述的等离子体处理装置中，在上述盖板之外另行设有用于支承上述盖板的盖板支承器具。技术方案6所述的等离子体处理装置的特征在于，在技术方案I至5中任一项所述的等离子体处理装置中，各上述分割片由正方形或者矩形的电介质构件构成，该电介质构件的一边为至少500mm以上。技术方案7所述的等离 子体处理装置的特征在于，在技术方案6所述的等离子体处理装置中，上述电介质构件的一边为至少900mm以上。技术方案8所述的等离子体处理装置的特征在于，在技术方案I至7中任一项所述的等离子体处理装置中，该等离子体处理装置还包括:被施加高频电力的高频天线，其相对于上述电介质盖来说配置在与上述基板所在侧相反的那一侧；电介质窗，其配置于上述电介质盖和上述高频天线之间；以及梁，其用于支承上述电介质窗，上述盖板安装于上述Mο采用本专利技术，由于相邻的两个分割片的交界处由盖板覆盖，因此，即使各分割片热膨胀而相邻的两个分割片的交界处开裂，被电介质盖覆盖的其他的构成构件也不会暴露于等离子体。由此，能够防止其他的构成构件损伤。此外，即使堆积在相邻的两个分割片的交界处的反应生成物剥离，由于盖板防止从交界处剥离的反应生成物的飞散，因此能够防止因反应生成物而产生的沉积物附着于基板。此外，由于各分割片由盖板支承，因此不需要由螺栓等固定各分割片，即使各分割片热膨胀也不会受螺栓等约束，因此能够防止在各分割片上产生压缩应力、拉伸应力。而且，由于各分割片不固定于用于支承电介质窗的支承梁而由盖板支承，因此能够不考虑支承梁的形状而决定该各分割片的分割数量以及分割形状。附图说明图1是概略性地表示本专利技术的实施方式的等离子体处理装置的结构的剖视图。图2是表示图1中的电介质窗的分割方式的仰视图。图3是表示从沿空心箭头的方向观察图1中的电介质盖的情况的图。图4的(A) (E)是图3中的盖板的各部分的剖视图，图4的(A)是图3的A — A剖视图，图4的(B)是图3的B — B剖视图，图4的(C)是图3的C 一 C剖视图，图4的(D)是图3的D — D剖视图。图4的(E)是表示图4的(C)中的盖板的变形例的剖视图。图5的(A)、图5的(B)是表示以往的等离子体处理装置中的气体流路与气体导入孔的位置关系的图，图5的(A)表示分割片未热膨胀的情况，图5的(B)表示分割片热膨胀的情况。图6是表示展开图3中的各盖板的情况的图。图7是表示图3中的各盖板的第I变形例的图。图8是表示向支承梁安装图4的(B)中的支承垫片的安装方法的变形例的图。图9是表示图3中的各盖板的第2变形例的图。图10是表示图3中的各盖板的第3变形例的图。图11是表示以往的等离子体处理装置中的分割片以及电介质盖固定器具的配置方式的图。具体实施例方式以下，参照附图说明本专利技术的实施方式。本实施方式的等离子体处理装置例如对FPD用的玻璃基板(以下，简称为“基板”。)S实施等离子体蚀刻、等离子体灰化以及等离子体成膜等等离子体处理。作为使用被实施上述的等离子体处理的基板的FPD，相当于液晶显示器(IXD)、电致发光(EL)显示器以及等离子显示器面板(PDP)等。图1是概略性地表示本实施方式的等离子体处理装置的结构的剖视图。在图1中，等离子体处理装置10包括容器I和电介质窗4，该电介质窗4配置本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体处理装置，其包括处理室和电介质盖，该处理室形成在其中产生等离子体的处理空间，该电介质盖在该处理室内与暴露于上述等离子体的基板相对地配置，该等离子体处理装置的特征在于，上述电介质盖由多个分割片组合而构成，相邻的两个上述分割片的交界处由盖板覆盖，各上述分割片由上述盖板支承。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：笠原稔大，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：