等离子体处理装置和等离子体处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术的课题是能够有效地抑制所谓的倾斜现象，实现生产效率的提高和生产成本的降低。解决手段为，在该电容耦合型等离子体蚀刻装置中，在上部电极(26)的上部配置有电磁铁(32)。电磁铁(32)具有磁芯部件(34)和线圈(36、38、40、42)。磁芯部件(34)具有一体形成有柱状部(44)、多个圆筒部(46、48、50、52)和背板部(54)的构造。电磁铁驱动电路(56)在控制部(60)的控制之下，不仅能够择一地对线圈(36、38、40、42)中的任一者以任意的励磁电流通电，能够在任意的组合下同时对多个线圈以共同或者单独的任意的励磁电流通电。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及电容耦合型的等离子体处理装置和等离子体处理方法。
技术介绍
在半导体器件的制造工艺中，使用使处理气体的等离子体作用于被处理基板例如半导体晶圆，从而对被处理基板实施蚀刻等处理的等离子体处理装置。一直以来，在单片式的等离子体蚀刻中多使用电容耦合型的等离子体蚀刻装置。一般来说，电容耦合型的等离子体蚀刻装置，在作为真空腔室构成的处理容器内平行地配置上部电极和下部电极，在下部电极之上载置半导体晶圆，向两电极间施加高频电力。这样一来，在两电极之间产生处理气体的因高频放电而形成的等离子体，通过等离子体中的自由基和离子在基板表面以期望图案实施蚀刻加工。一直以来，在电容耦合型的等离子体蚀刻装置中，主要为了控制处理容器内的等离子体密度分布，使用了形成以规定的路径贯通处理容器内的处理空间的闭环磁力线或者磁场的磁场形成机构。例如，在专利文献1中公开了一种磁场形成机构，其在处理容器的侧壁的周围(外)以一定间隔环状地配置由各向异性分段柱式磁铁构成的多个二极环形磁铁，在处理容器内的处理空间形成均匀的水平磁场。在专利文献2中公开了一种磁场形成机构，将在水平方向具有与被处理基板的口径尺寸相比充分离开的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体处理装置，其使处理气体的等离子体作用于被处理基板来实施处理，所述等离子体处理装置的特征在于，包括：以能够取出和放入的方式收纳所述被处理基板的处理容器；设置在所述处理容器内的、用于载置所述被处理基板的下部电极；设置在所述处理容器内的、与所述下部电极相对的上部电极；在所述上部电极与所述下部电极之间施加高频电力的高频电源；和在所述处理容器的上部或者上方具有以在上下方向上通过所述下部电极的中心的中心轴线为中心的一个或多个环状线圈的电磁铁。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.04.09 JP 2014-0798371.一种等离子体处理装置，其使处理气体的等离子体作用于被处理基板来实施处理，所述等离子体处理装置的特征在于，包括：以能够取出和放入的方式收纳所述被处理基板的处理容器；设置在所述处理容器内的、用于载置所述被处理基板的下部电极；设置在所述处理容器内的、与所述下部电极相对的上部电极；在所述上部电极与所述下部电极之间施加高频电力的高频电源；和在所述处理容器的上部或者上方具有以在上下方向上通过所述下部电极的中心的中心轴线为中心的一个或多个环状线圈的电磁铁。2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：多个所述环状线圈在同一面内呈同心状地配置。3.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述电磁铁具有除了各个所述线圈的下表面之外覆盖其内周面、外周面和上表面的磁轭。4.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述磁轭的与各个所述线圈相比向径向内侧延伸的部分不具有开口部分而封闭。5.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：位于所述电磁铁的至少最外周的环状线圈设置成位于与所述被处理基板的周缘部相比靠外侧的位置。6.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述上部电极与所述下部电极之间的电极间间隙在半径方向的至少一处或者一区域连续地或者台阶状地变化，在所述电磁铁中通电的线圈中的至少一个，与所述电极间间隙变化之处或者区域的一部分或者全部在上下方向上重叠。7.如权利要求6所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述电极间间隙，具有相对于通过所述下部电极的中心的铅垂的中心轴线轴对称的轮廓，在半径方向上在从所述中心轴线起延伸至第一位置的第一区域具有均匀的间隙宽度，在从所述第一位置起延伸至比其更靠半径方向外侧的第二位置的第二区域具有呈锥形状变窄的间隙宽度。8.如权利要求7所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述第一位置对应于载置在所述下部电极上的...

【专利技术属性】
技术研发人员：近藤崇，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP