等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种等离子体处理装置，包括：室，其具备供等离子体生成的空间，在上端壁部的下端固定有卡盘；第1夹具组件，其安装于所述室的上端壁部，配备有供基板托盘安放的第1夹具，配备得能够在室的内部沿上下方向升降，从而当上升运转时，使得基板托盘接触卡盘并固定；及第2夹具组件，其安装于所述室的上端壁部，配备得能够在室的内部沿上下方向升降，当包围所述第1夹具与基板托盘地形成的第2夹具上升运转时，使得基板托盘与第1夹具一同贴紧卡盘。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术用于在等离子体处理装置内部坚固地固定基板托盘，特别涉及一种等离子体处理装置，能够应用于在室的下部形成有等离子体的方式的等离子体处理装置，把基板托盘固定于室内。
技术介绍
一般而言，在用于半导体的晶片及要求精密的薄膜加工工序中，使用利用了等离子体的蚀刻和沉积法，提高制品的精密度。如此产生等离子体的等离子体处理装置，由形成外形的室和安装于室的外侧的天线及使晶片放置于室内部的卡盘构成。由此，所述的天线供应高频，借助于高频而在室内部形成有等离子体，对放置于卡盘的晶片进行加工。以往的等离子体处理装置在室上部形成等离子体，在下部固定托盘，利用等离子体蚀刻安放于托盘的晶片(基板)。这存在的问题是，在室上部发生的工序副产物借助于重力而落于基板，因此，工序副产物对基板的工序造成影响，蚀刻作业无法顺利进行，因而发生不良。为了解决这种问题，提出了在室的上部固定托盘、在下部形成等离子体的方案。由此，消除了因工序副产物落于基板而发生不良的问题，但基板与以往朝向上面的情形相反，而是朝向下面，在把托盘坚固地固定于室的上部方面发生问题。以往的日本专利公开公报2004-285469A提出“载置架处理装置及方法”。但是，在这种现有文献中，只公开了在平行平板式电极之间接入高频电力并产生等离子体，借助于该等离子体而使工程气体激活，在较低温度下进行既定的成膜处理或蚀刻处理，并未针对在室内部坚固地固定基板托盘的手段进行公开。作为所述
技术介绍
而说明的事项，只是为了增进对本专利技术的背景的理解，不得视为承认属于该所属
的技术人员已知的以往技术。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利公开公报JP2004-285469A
技术实现思路
本专利技术正是为了解决这种问题而研发的，其目的在于提供一种等离子体处理装置，针对在室的下部形成有等离子体的方式的等离子体处理装置，在室内部坚固地固定基板托盘，使得基板托盘的周边工序环境均一，在蚀刻作业时使出错实现最少化。旨在达成所述目的的本专利技术的等离子体处理装置包括：室，其具备供等离子体生成的空间，在上端壁部的下端固定有卡盘；第1夹具组件，其安装于所述室的上端壁部，配备有供基板托盘安放的第1夹具，配备得能够在室的内部沿上下方向升降，从而当上升运转时，使得基板托盘接触卡盘并固定；及第2夹具组件，其安装于所述室的上端壁部，配备得能够在室的内部沿上下方向升降，当包围所述第1夹具与基板托盘地形成的第2夹具上升运转时，使得基板托盘与第1夹具一同贴紧卡盘。本专利技术的另一特征在于，所述室在上端壁部固定有卡盘，工程气体从下端壁部向上方供应，侧端壁部的上侧，天线配备于下侧。本专利技术的另一特征在于，所述第1夹具组件包括：第1长度调节部，其固定安装于所述室的上端壁部上端，长度沿上下方向可变；第1运转部，其位于所述第1长度调节部的上侧，连接有第1长度调节部，借助于第1长度调节部而上下移动；第1支撑部，其从所述第1运转部向下方延长，贯通室的上端壁部，在延长的末端，具备在室的内部供基板托盘安放的第1夹具。其特征在于，所述第1长度调节部包括：缸，其固定于室上端壁部；活塞杆，其配备得在缸中沿上下方向升降，且连接有第1运转部。本专利技术的另一特征在于，所述第1运转部与室的上端壁部水平地配置，在中心连接有所述第1长度调节部，从中心呈辐射状延长形成有构成相同长度和等角的至少两个以上的第1连接臂，并连接有第1支撑部。本专利技术的另一特征在于，所述第1运转部的第1连接臂能够弹性弯曲地形成。本专利技术的另一特征在于，所述第1运转部从中心呈辐射状延长形成有三个第1连接臂。本专利技术的另一特征在于，所述第1支撑部的一端连接于第1运转部的第1连接臂，另一端向下方延长而其末端位于比室内部的卡盘更下侧，在另一端配备有朝向室的中央以凸缘形态延长的第1夹具。本专利技术的另一特征在于，连接于所述多个第1连接臂的各个第1支撑部，连接于以环形态形成的连接环的外周。本专利技术的另一特征在于，所述连接环在第1支撑部的延长的末端连接于比第1夹具更上侧。本专利技术的另一特征在于，在所述室中形成有引导支撑部，所述引导支撑部固定安装于上端壁部的上端，向上方延长，连接有第1夹具组件与第2夹具组件，从而使得第1夹具组件和第2夹具组件向相同方向升降，在延长的末端配备有固定面板。所述第2夹具组件包括：第2长度调节部，其固定安装于固定面板的下端，长度沿上下方向可变；第2运转部，其位于所述第2长度调节部的下侧，连接有第2长度调节部，借助于第2长度调节部而向上下移动；第2支撑部，其从所述第2运转部向下方延长，贯通室的上端壁部，在延长的末端，具备在室的内部一同包围第1夹具与基板托盘的第2夹具。本专利技术的另一特征在于，所述第2长度调节部包括：缸，其固定于第2运转部；活塞杆，其配备得在缸中沿上下方向升降，连接于固定面板。本专利技术的另一特征在于，所述第2运转部与室的上端壁部水平地配置，在中心连接有所述第2长度调节部，从中心呈辐射状延长形成有构成相同长度和等角的至少两个以上的第2连接臂，连接有第2支撑部。本专利技术的另一特征在于，所述第2运转部的第2连接臂能够弹性弯曲地形成。本专利技术的另一特征在于，所述第2支撑部一端连接于第2运转部的第2连接臂，另一端向下方延长，其末端位于比第1夹具更下侧，在另一端配备有以环形态形成并包围第1夹具与基板托盘的第2夹具。本专利技术的另一特征在于，所述第2夹具以环形态形成，在外周形成有供第1夹具容纳的插入槽和供基板托盘安放的支撑槽。本专利技术的另一特征在于，在所述引导支撑部的固定面板上，形成有向下方延长并位于第1运转部上侧的停止部，从而使得第1运转部在向上方过度移动时接触停止部并限制移动。本专利技术的另一特征在于，还配备有盒模块，所述盒模块具备在底面两侧对称的板，并具备：在两板上沿上下方向构成多段，且朝向相互相向的方向凸出的支撑架；放置架，其安放于所述支撑架，在中央部，以比基板托盘外周更小的外周形成有移送槽，前方以与移送槽相接的方式开放，沿着移送槽的外周形成有供基板托盘安放的安放槽；移送组件，其将安放于所述放置架的基板托盘移送到所述室内而安放于第1夹具组件。本专利技术的另一特征在于，所述盒模块设有安装于支撑架的传感器部，所述传感器部判断安放于支撑架的基板托盘的有无。本专利技术的另一特征在于，所述移送组件以平面形成，以便与基板托盘的下面接触，在外周配备有防止本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：室，其具备供等离子体生成的空间，在上端壁部的下端固定有卡盘；第1夹具组件，其安装于所述室的上端壁部，配备有供基板托盘安放的第1夹具，配备得能够在室的内部沿上下方向升降，从而当上升运转时，使得基板托盘接触卡盘并固定；及第2夹具组件，其安装于所述室的上端壁部，配备得能够在室的内部沿上下方向升降，当包围所述第1夹具与基板托盘地形成的第2夹具上升运转时，使得基板托盘与第1夹具一同贴紧卡盘；所述第1夹具组件包括：第1长度调节部，其固定安装于所述室的上端壁部上端，长度沿上下方向可变；第1运转部，其位于所述第1长度调节部的上侧，连接有第1长度调节部，借助于第1长度调节部而向上下移动；第1支撑部，其从所述第1运转部向下方延长，贯通室的上端壁部，在延长的末端，具备在室的内部供基板托盘安放的第1夹具。

【技术特征摘要】
2014.11.19 KR 10-2014-01615801.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
室，其具备供等离子体生成的空间，在上端壁部的下端固定有卡盘；
第1夹具组件，其安装于所述室的上端壁部，配备有供基板托盘安放的第
1夹具，配备得能够在室的内部沿上下方向升降，从而当上升运转时，使得基
板托盘接触卡盘并固定；及
第2夹具组件，其安装于所述室的上端壁部，配备得能够在室的内部沿上
下方向升降，当包围所述第1夹具与基板托盘地形成的第2夹具上升运转时，
使得基板托盘与第1夹具一同贴紧卡盘；
所述第1夹具组件包括：
第1长度调节部，其固定安装于所述室的上端壁部上端，长度沿上下方向
可变；
第1运转部，其位于所述第1长度调节部的上侧，连接有第1长度调节部，
借助于第1长度调节部而向上下移动；
第1支撑部，其从所述第1运转部向下方延长，贯通室的上端壁部，在延
长的末端，具备在室的内部供基板托盘安放的第1夹具。
2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述室在上端壁部固定有卡盘，工程气体从下端壁部向上方供应，侧端壁
部的上侧连接有真空泵，在下侧有配备有天线。
3.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述第1长度调节部包括：缸，其固定于室上端壁部；活塞杆，其配备为
在缸中沿上下方向升降，且连接有第1运转部。
4.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述第1运转部与室的上端壁部水平地配置，在中心连接有所述第1长度
调节部，从中心呈辐射状延长形成有构成相同长度和等角的至少两个以上的第
1连接臂，并连接有第1支撑部。
5.根据权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述第1运转部的第1连接臂能够弹性弯曲地形成。
6.根据权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述第1运转部从中心呈辐射状延长形成有三个第1连接臂。
7.根据权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述第1支撑部的一端连接于第1运转部的第1连接臂，另一端向下方延
长而其末端位于比室内部的卡盘更下侧，在另一端配备有朝向室的中央以凸缘
形态延长的第1夹具。
8.根据权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于，
连接于所述多个第1连接臂的各个第1支撑部，连接于以环形态形成的连
接环的外周。
9.根据权利要求8所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述连接环在第1支撑部的延长的末端连接于比第1夹具更上侧。
10.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，
在所述室中形成有引导支撑部，所述引导支撑部固定安装于上端壁部的上
端，向上方延长，连接有第1夹具组件与第2夹具组件，从而使得第1夹具组
件和第2夹具组件向相同方向升降，在延长的末端配备有固定面板。
11.根据权利要求10所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述第2夹具组件包括：
第2长度调节部，其固定安装于所述固定面板的下端，长度沿上下方向可
变；
第2运转部，其位于所述第2长度调节部的下侧，连接有第2长度调节部，
借助于第2长度调节部而向上下移动；
第2支撑部，其从所...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑相坤，金亨源，丘璜燮，金铉济，郑熙锡，
申请(专利权)人：吉佳蓝科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR