静电卡盘单元以及具备其的等离子体蚀刻装置制造方法及图纸

根据本发明专利技术的实施例的静电卡盘单元，其设置在等离子体蚀刻装置，可以包括：静电卡盘，在上面支撑晶片；以及聚焦环，以围绕所述静电卡盘的中心部分的方式布置在所述静电卡盘的上部，并将用于蚀刻所述晶片的反应气体聚焦到所述晶片上，所述聚焦环，包括：第一聚焦环构件，围绕所述静电卡盘的中心部分；以及第二聚焦环构件，围绕所述第一聚焦环构件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种静电卡盘单元以及具备其的等离子体蚀刻装置，具体而言，涉及一种静电卡盘单元以及具备其的等离子体蚀刻装置，其中，聚焦环不是一体型，而是由第一聚焦环构件和第二聚焦环构件而构成，因此，在发生损坏时，仅需要更换被损坏部分，从而，可以降低维护费用。

技术介绍

1、半导体制造工艺有多种工艺，其中包括利用等离子体蚀刻设备蚀刻基板即晶片的等离子体蚀刻(etching)工艺。等离子体蚀刻工艺是利用等离子体去除晶片的薄膜的工艺。

2、上述的蚀刻工艺是向在执行工艺的密封腔室的内部空间内以预定间隔隔开设置的上部电极和下部电极施加高频功率来形成电场，并通过电场激活供应到腔室内部空间的反应气体来形成等离子体状态之后，用等离子体状态的离子蚀刻被放在静电卡盘上的晶片。

3、等离子体刻蚀设备需要刻蚀均匀度(etch uniformity)控制技术，以确保均匀地蚀刻晶片的内侧及外侧。

4、此处，等离子体必须均匀地形成在晶片的整个上表面，这是通过围绕位于下部电极上部的静电卡盘主体边缘的聚焦环而实现。

5、聚焦环通过施加高频功率，将本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种静电卡盘单元，其设置在等离子体蚀刻装置，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的静电卡盘单元，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的静电卡盘单元，其特征在于，所述第一聚焦环构件的外侧面形成下端部向外侧延伸且的延伸部分，并具有呈“└”形的垂直截面，

4.根据权利要求1所述的静电卡盘单元，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的静电卡盘单元，其特征在于，

6.一种等离子体蚀刻装置，其特征在于，包括：

【技术特征摘要】

1.一种静电卡盘单元，其设置在等离子体蚀刻装置，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的静电卡盘单元，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的静电卡盘单元，其特征在于，所述第一聚焦环构件的外侧面形成下端部向外侧延...

【专利技术属性】
技术研发人员：李允诚，金善荣，
申请(专利权)人：吉佳蓝科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：