晶圆释放方法技术

本发明专利技术公开一种晶圆释放方法，其用于晶圆处理系统及晶圆处理方法。本发明专利技术的晶圆释放方法包括：使施加于卡盘的电压的极性反转的极性反转步骤；使容纳在卡盘的升降销以第一移送速度从卡盘上升以将支撑于卡盘的晶圆移送到第一设定位置的第一移送步骤；以及使升降销以不同于第一移送速度的第二移送速度上升以将配置于第一设定位置的晶圆移送到高于第一设定位置的第二设定位置的第二移送步骤。位置的第二设定位置的第二移送步骤。位置的第二设定位置的第二移送步骤。

【技术实现步骤摘要】
晶圆释放方法


[0001]本专利技术涉及一种晶圆释放方法，更详细地，涉及一种用于在半导体的制造工序系统中从固定晶圆产品的静电卡盘释放晶圆的晶圆释放方法。

技术介绍

[0002]通常，在半导体制造工序系统中使用的卡盘(chuck)在施加电压时会产生静电现象，并由此固定支撑在上面上的晶圆。
[0003]然而，如上所述的静电式的卡盘的问题在于，晶圆是通过静电力固定的，从而，当要在利用升降销从卡盘分离晶圆时，由于作用于卡盘与晶圆之间的静电力，不容易分离晶圆。
[0004]即，所存在的问题是，当通过利用升降销支撑晶圆来从卡盘分离晶圆时，由于卡盘与晶圆之间的静电力，产生较大的阻力，因此导致晶圆脱离升降销。
[0005]因此，以往，为了解决如上所述的问题，开发了一种使施加于卡盘的电压的极性反转以使残留电荷进行放电，并由此去除卡盘与晶圆之间的静电力以从卡盘分离晶圆的方法。
[0006]但是，所存在的问题是，即便使施加于卡盘的电压的极性反转以对电荷进行放电，也无法进行完全的放电，使得卡盘与晶圆之间仍会残留部分静电力，因此在分离晶圆时发生支撑于升降销的晶圆脱离升降销或倾斜的现象以及晶圆受损的问题。

技术实现思路

[0007]技术问题
[0008]本专利技术的目的在于，提供一种晶圆释放方法，其对卡盘与晶圆之间的残留电荷完全放电，以防止分离晶圆时因由于残留电荷的影响致使晶圆脱离升降销或倾斜的现象以及晶圆受损的问题发生，并且能够使不良率最小化。
[0009]技术方案
[0010]本专利技术的一实施例的晶圆释放方法包括：使施加于卡盘的电压的极性反转的极性反转步骤；使容纳在所述卡盘中的升降销以第一移送速度从所述卡盘上升以将支撑于所述卡盘的晶圆移送到第一设定位置的第一移送步骤；以及使所述升降销以不同于所述第一移送速度的第二移送速度上升以将配置在所述第一设定位置的所述晶圆移送到高于所述第一设定位置的第二设定位置的第二移送步骤。
[0011]所述第二设定位置可以是搬送所述晶圆的位置。
[0012]所述第一移送速度可以是比所述第二移送速度慢的速度。
[0013]所述第一移送速度与所述第二移送速度的相对比可以为1:2至1:5。
[0014]所述卡盘到所述第一设定位置的距离可以比所述卡盘到所述第二设定位置的距离短。
[0015]所述卡盘到所述第一设定位置的第一距离与所述卡盘到所述第二设定位置的第
二距离的相对比可以为1:4至1:6。
[0016]所述晶圆可以连续地从所述第一设定位置被移送到所述第二设定位置。
[0017]本专利技术的另一实施例的晶圆释放方法包括：使施加于卡盘的电压的极性反转的极性反转步骤；使容纳在所述卡盘中的升降销以第一移送速度从所述卡盘上升以将支撑于所述卡盘的晶圆移送到第一设定位置的第一移送步骤；使所述升降销以第三移送速度下降以将配置在所述第一设定位置的所述晶圆移送到低于所述第一设定位置的第三设定位置的第三移送步骤；以及使所述升降销以不同于所述第一移送速度和所述第三移送速度的第二移送速度上升以将配置在所述第三设定位置的所述晶圆移送到高于所述第一设定位置的第二设定位置的第二移送步骤。
[0018]所述第三移送速度可以是与所述第一移送速度相同的速度或比所述第一移送速度更快的速度。
[0019]所述第一移送速度与所述第二移送速度的相对比可以为1:2至1:5，所述第三移送速度与所述第二移送速度的相对比可以为1:2至1:5。
[0020]所述第三设定位置可以是所述晶圆支撑于所述卡盘上的位置。
[0021]在支撑于所述卡盘的所述晶圆被移送到所述第一设定位置的过程中在所述卡盘与所述晶圆之间形成有流路，在配置于所述第一设定位置的所述晶圆被移送到所述第三设定位置的过程中，从所述晶圆的上部供应并从比所述晶圆靠下方的位置排出的流体通过所述流路时可以与所述卡盘的上面和所述晶圆的下面接触。
[0022]所述第一移送步骤和所述第二移送步骤中的至少某一个可以包括渐进地或分区间地速度可变为更快的多个区间。
[0023]至少所述晶圆被移送到比所述第一设定位置靠上方的位置之前，从所述晶圆的上部供应的流体可以经过所述晶圆从比所述晶圆靠下方的位置排出。
[0024]当所述晶圆的移送速度变更时，所述流体的容量和压力中的至少某一个的大小可以变更。
[0025]专利技术的效果
[0026]根据本专利技术的实施例，当晶圆从卡盘分离时，晶圆被缓慢且稳定地移送，以使残留在晶圆与卡盘之间的残留电荷对晶圆的影响最小化，因而可以防止由于残留电荷的影响致使晶圆脱离升降销或倾斜的现象以及晶圆受损的问题发生，并且使不良率最小化。
[0027]此外，当晶圆从卡盘缓慢分离时，在卡盘与晶圆之间形成流路，使得被供应至腔室内的流体流向卡盘与晶圆之间，从而可以使残留电荷完全放电。
[0028]与此同时，当晶圆被移送到不受静电力的影响的第一设定位置时，晶圆以更快的速度被移送到第二设定位置以缩短工序时间，由此可以使生产量(throughput)的损失最小化。
[0029]本专利技术的效果不受上述例示内容的限制，而是有更多样化的效果包含在本专利技术内。
附图说明
[0030]图1是示意性地示出本专利技术的一实施例的晶圆的释放过程的图。
[0031]图2是示出本专利技术的一实施例的晶圆释放方法的顺序图。
[0032]图3是示意性地示出本专利技术的一实施例的晶圆的释放过程中速度可变的过程的图。
[0033]图4是示意性地示出本专利技术的另一实施例的晶圆的释放过程的图。
[0034]图5是示出本专利技术的另一实施例的晶圆释放方法的顺序图。
[0035]附图标记
[0036]100：晶圆处理装置，10：腔室，20：卡盘，30：升降销，W：晶圆。
具体实施方式
[0037]下面参照附图对本专利技术的实施例进行详细描述，以便本专利技术所属领域的普通技术人员能够容易地实施。
[0038]本专利技术可以以多种不同的形态实现，不限于这里描述的实施例。
[0039]参照图1，本专利技术的一实施例的晶圆释放过程由半导体制造系统的晶圆处理装置100执行。
[0040]晶圆处理装置100构成为能够通过机械臂(未图示)进行晶圆W的出入，并且包括作为用于处理晶圆W的空间的腔室10、配置在腔室10内并且构成根据所施加的DC电压的极性来固定或解除晶圆W的卡盘20、以及容纳在卡盘20的内部并且构成为使晶圆W升降的升降销30。但是，晶圆处理装置100并不一定限于此，可以进一步包括多样的构件。
[0041]将对本专利技术的一实施例的晶圆释放方法进行更详细的描述。
[0042]本专利技术的一实施例的晶圆释放方法可以包括极性反转步骤(S110)、第一移送步骤(S120)、以及第二移送步骤(S130)。
[0043]参照图1的(a)和图2，当晶圆W的处理工序结束时，晶圆处理装置100可以执行使施加于卡盘20的电压的极性本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆释放方法，其特征在于，包括：使施加于卡盘的电压的极性反转的极性反转步骤；使容纳在所述卡盘中的升降销以第一移送速度从所述卡盘上升以将支撑于所述卡盘的晶圆移送到第一设定位置的第一移送步骤；以及使所述升降销以不同于所述第一移送速度的第二移送速度上升以将配置在所述第一设定位置的所述晶圆移送到高于所述第一设定位置的第二设定位置的第二移送步骤。2.根据权利要求1所述的晶圆释放方法，其特征在于，所述第二设定位置是搬送所述晶圆的位置。3.根据权利要求1所述的晶圆释放方法，其特征在于，所述第一移送速度是比所述第二移送速度慢的速度。4.根据权利要求3所述的晶圆释放方法，其特征在于，所述第一移送速度与所述第二移送速度的相对比为1:2至1:5。5.根据权利要求1所述的晶圆释放方法，其特征在于，所述卡盘到所述第一设定位置的距离比所述卡盘到所述第二设定位置的距离短。6.根据权利要求5所述的晶圆释放方法，其特征在于，所述卡盘到所述第一设定位置的第一距离与所述卡盘到所述第二设定位置的第二距离的相对比为1:4至1:6。7.根据权利要求1所述的晶圆释放方法，其特征在于，所述晶圆连续地从所述第一设定位置被移送到所述第二设定位置。8.一种晶圆释放方法，其特征在于，包括：使施加于卡盘的电压的极性反转的极性反转步骤；使容纳在所述卡盘中的升降销以第一移送速度从所述卡盘上升以将支撑于所述卡盘的晶圆移送到第一设定位置的第一移送步骤；使所述升降销以第三移送速度下降以将配置在所述第一设定位置的所述晶圆移送到低于所述第一设定位置的第三设定位置的第三移送步骤；以及使所述升降销以不同于所...

【专利技术属性】
技术研发人员：金亨源，金成旭，郑熙锡，
申请(专利权)人：吉佳蓝科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：