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根据本发明的实施例的静电卡盘单元，其设置在等离子体蚀刻装置，可以包括：静电卡盘，在上面支撑晶片；以及聚焦环，以围绕所述静电卡盘的中心部分的方式布置在所述静电卡盘的上部，并将用于蚀刻所述晶片的反应气体聚焦到所述晶片上，所述聚焦环，包括：第一聚...
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