真空腔室温控装置制造方法及图纸

技术编号:15075763 阅读:81 留言:0更新日期:2017-04-06 20:42
本实用新型专利技术涉及一种真空腔室温控装置,用于对真空腔室的电极进行温度控制,包括导热板、半导体温控板、散热板、温度传感器和控制器,导热板、半导体温控板、散热板和温度传感器设置在真空腔室内,导热板、半导体温控板和散热板由上至下依次连接,且导热板与电极连接,半导体温控板上开设有安装孔,温度传感器放置在安装孔内,且温度传感器与导热板连接,控制器分别与半导体温控板和温度传感器连接,温度传感器用于检测电极的温度,并将信号发送给控制器,控制器根据温度信号控制半导体温控板两端施加的电压。上述真空腔室温控装置,使用简单且控温速度快,并且半导体温控材料的使用寿命长,无需经常更换和保养。

Vacuum chamber temperature control device

The utility model relates to a vacuum chamber temperature control device, temperature control of electrode for vacuum chamber, including a heat conducting plate and a semiconductor temperature control plate and a radiating plate, a temperature sensor and a controller, a heat conducting plate and a semiconductor temperature control plate and a radiating plate and a temperature sensor is arranged in the indoor vacuum chamber, a heat conducting plate and a semiconductor temperature control plate and a cooling plate from top to bottom are connected in turn, and the heat conducting plate is connected with the electrode, a semiconductor temperature control board is provided with a mounting hole, the temperature sensor is placed in the installation hole, and the temperature sensor is connected with the heat conduction plate, controller is respectively connected with the semiconductor temperature control plate and a temperature sensor, the temperature sensor is used for detecting the temperature of electrode, and sends the signal to the controller, the controller based on the temperature control signal voltage across the semiconductor temperature control plate. The vacuum chamber temperature control device has the advantages of simple operation and fast temperature control, and long service life of the semiconductor temperature control material.

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及显示
,特别是涉及一种真空腔室温控装置。
技术介绍
在显示
,通常通过干法刻蚀工艺对基板进行刻蚀。一般的,用于进行干法刻蚀工艺的真空腔室内设置有电极,在基板的制作过程中,基板固定在电极的表面。因此,电极的温度均匀性影响基板表面的温度均匀性,从而影响基板刻蚀的均匀性。通常情况下,真空腔室内设置有温度控制装置,用于保持电极温度的稳定。一般的,在电极下方安装有温控板,温控板通过控制器控制其内部液体的循环使电极温度保持稳定。然而,通过液体循环进行控温,控温速度比较慢,电极温度需要进行调节的时间比较长。此外,温控板需要定期保养,每次进行保养时都需要将循环液排空,更换循环液并对温控板内管道进行吹扫,温控板的保养操作繁琐复杂、费时费力。另外,一旦温控板内的循环液发生泄漏,还会对真空腔室造成污染。
技术实现思路
基于此,有必要针对上述问题,提供一种控温速度快、操作简单且使用安全的真空腔室温控装置。一种真空腔室温控装置,用于对真空腔室的电极进行温度控制,包括导热板、半导体温控板、散热板、温度传感器和控制器,导热板、半导体温控板、散热板和温度传感器设置在真空腔室内,导热板、半导体温控板和散热板由上至下依次连接,且导热板与电极连接,半导体温控板上开设有安装孔,温度传感器放置在安装孔内,且温度传感器与导热板连接,控制器分别与半导体温控板和温度传感器连接,温度传感器用于检测电极的温度,并将温度信号发送给控制器,控制器根据温度信号控制半导体温控板两端施加的电压。上述真空腔室温控装置,设置在半导体温控板中的温度传感器检测电极的温度,并将检测到的温度信号发送给控制器,控制器根据接收的温度信号对半导体温控板施加相应的电压,半导体温控板内部的半导体温控材料迅速反应,半导体温控板的温度迅速变化,通过设置在半导体温控板上方的导热板对电极进行温度传导,对电极进行加热或降温,通过设置在半导体温控板下方的散热板将半导体温控板下部产生的能量快速释放。因此,只需控制半导体温控板施加的电压就可实现对电极温度的控制,真空腔室温控装置操作简单且控温速度快,并且半导体温控材料的使用寿命长,无需经常更换和保养,同时,避免了温控板使用循环液可能造成的真空腔室的污染,使用安全方便。在其中一个实施例中,安装孔为通孔。在其中一个实施例中,安装孔为盲孔。在其中一个实施例中,半导体温控板包括第一导热绝缘层、第二导热绝缘层、多个N型半导体、多个P型半导体和多个金属导体,半导体温控板的第一导热绝缘层与导热板连接,半导体温控板的第二导热绝缘层与散热板连接,多个N型半导体和多个P型半导体依次交替排列且位于第一导热绝缘层和第二导热绝缘层之间,且多个金属导体设于第一导热绝缘层与各N型半导体、P型半导体之间,以及第二导热绝缘层与各N型半导体、P型半导体之间,相邻的N型半导体和P型半导体之间通过金属导体首尾连接使得各N型半导体和P型半导体形成串联。在其中一个实施例中,半导体温控板包括第一导热绝缘层、第二导热绝缘层和多个半导体温控单元,半导体温控板的第一导热绝缘层与导热板连接,半导体温控板的第二导热绝缘层与散热板连接,半导体温控单元包括多个N型半导体、多个P型半导体和多个金属导体,多个N型半导体和多个P型半导体依次交替排列且位于第一导热绝缘层和第二导热绝缘层之间,且多个金属导体设于第一导热绝缘层与各N型半导体、P型半导体之间,以及第二导热绝缘层与各N型半导体、P型半导体之间,相邻的N型半导体和P型半导体之间通过金属导体首尾连接使得各N型半导体和P型半导体形成串联,多个半导体温控单元之间间隔设置,各半导体温控单元均与控制器连接。在其中一个实施例中,温度传感器的数量与半导体温控单元的数量相等。在其中一个实施例中,半导体温控板上开设有多个安装孔,安装孔开设在半导体温控板上半导体温控单元位置处,安装孔的数量与温度传感器的数量相等。在其中一个实施例中,装置还包括风扇,风扇设置在真空腔室外,且风扇连接至真空腔室底部。在其中一个实施例中,温度传感器为接触式温度传感器。附图说明图1为一个实施例中真空腔室温控装置的结构剖视图;图2为一个实施例中半导体温控板的结构剖视图;图3为另一个实施例中半导体温控板的结构示意图。附图标号:10、真空腔室;12、散热板;14、半导体温控板;15、安装孔;16、导热板;18、温度传感器;20、腔室壁;22、控制器;30、电极;142、N型半导体;144、P型半导体;145、半导体温控单元;146、金属导体;147、第一导热绝缘层;148、第二导热绝缘层。具体实施方式为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本技术进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术,并不用于限定本技术。如图1所示,一实施方式的真空腔室温控装置,包括导热板16、半导体温控板14、散热板12、温度传感器18和控制器22。导热板16、半导体温控板14和散热板12设置在真空腔室10内,导热板16、半导体温控板14和散热板12由上至下依次连接,且导热板16与电极30连接,半导体温控板14上开设有安装孔15,温度传感器18放置在安装孔15内,且温度传感器18与导热板16连接,控制器22分别与半导体温控板14和温度传感器18连接。温度传感器18用于检测电极30的温度,并将温度信号发送给控制器22,控制器22根据温度信号控制半导体温控板14两端施加的电压。真空腔室10是由腔室壁20组成的密闭空间,导热板16、半导体温控板14和散热板12设置在真空腔室10的底部,并且由上至下依次连接,散热板12与真空腔室10底部的腔室壁20接触连接,真空腔室10中的电极30设置在导热板16上并与导热板16连接,半导体温控板14位于导热板16与散热板12之间。其中,导热板16和散热板12均采用导热性能良好的金属导体材料,有利于对半导体温控板14产生的热量进行传导。在一个实施例中,温度传感器18采用接触式温度传感器,具体为热电阻温度传感器或热电偶式温度传感器。温度传感器18放置在安装孔15中时,温度传感器18的感温侧朝上,并且与半导体温控板14上方的导热板16接触连接,使得温度传感器18能够不受环境温度的干扰,准确检测导热板16的温度。在一个实施例中,安装孔15是通孔,在另一个实施例中,安装孔15也可以是盲孔。具体的,安装孔15的具体形态可以根据温控板14的厚度和温度传感器的18的高度进行选择,当温控板14的厚度和温度传感器18的高度相等时,可开设安装孔15为通孔,通孔贯穿整个半导体温控板14,温度传感器18放置在安装孔15内,感温侧与导热板16接触连接;当温控板14的厚度大于温度传感器18的高度时,开设安装孔15为盲孔,盲孔从半导体温控板14的上表面开设至半导体温控板14的内部且不贯通半导体温控板14,盲孔开设的深度与温度传感器18的高度匹配,使温度传感器18放置在安装孔15内后,温度传感器18的感温侧与半导体温控板14的上表面齐平且与导热板16接触连接。具体的,由于电极30中心位置的温度比较接近电极30的平均温度,因此,在一个实施例中,安装孔15开设在半导体温控板14的中心位置,使放置在其中的温度传感器18能够检测电极30本文档来自技高网...
真空腔室温控装置

【技术保护点】
一种真空腔室温控装置,用于对真空腔室的电极进行温度控制,其特征在于,包括导热板、半导体温控板、散热板、温度传感器和控制器,所述导热板、半导体温控板、散热板和温度传感器设置在所述真空腔室内,所述导热板、半导体温控板和散热板由上至下依次连接,且所述导热板与电极连接;所述半导体温控板上开设有安装孔;所述温度传感器放置在所述安装孔内,且所述温度传感器与所述导热板连接;所述控制器分别与所述半导体温控板和所述温度传感器连接;所述温度传感器用于检测所述电极的温度,并将温度信号发送给所述控制器;所述控制器根据所述温度信号控制所述半导体温控板两端施加的电压。

【技术特征摘要】
1.一种真空腔室温控装置,用于对真空腔室的电极进行温度控制,其特征在于,包括导热板、半导体温控板、散热板、温度传感器和控制器,所述导热板、半导体温控板、散热板和温度传感器设置在所述真空腔室内,所述导热板、半导体温控板和散热板由上至下依次连接,且所述导热板与电极连接;所述半导体温控板上开设有安装孔;所述温度传感器放置在所述安装孔内,且所述温度传感器与所述导热板连接;所述控制器分别与所述半导体温控板和所述温度传感器连接;所述温度传感器用于检测所述电极的温度,并将温度信号发送给所述控制器;所述控制器根据所述温度信号控制所述半导体温控板两端施加的电压。2.根据权利要求1所述的真空腔室温控装置,其特征在于,所述半导体温控板包括第一导热绝缘层、第二导热绝缘层、多个N型半导体、多个P型半导体和多个金属导体,所述半导体温控板的第一导热绝缘层与所述导热板连接,所述半导体温控板的第二导热绝缘层与所述散热板连接,所述多个N型半导体和多个P型半导体依次交替排列且位于所述第一导热绝缘层和第二导热绝缘层之间,且所述多个金属导体设于所述第一导热绝缘层与各N型半导体、P型半导体之间,以及所述第二导热绝缘层与各N型半导体、P型半导体之间,相邻的N型半导体和P型半导体之间通过所述金属导体首尾连接使得各N型半导体和P型半导体形成串联。3.根据权利要求1所述的真空腔室温控装置,其特征在于,所述半导体温控板包括第一导热绝缘层、第二导热绝缘层和多个半导体温...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘成王燕锋杨硕
申请(专利权)人:昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司
类型:新型
国别省市:江苏;32

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