等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种等离子体处理装置，包括反应腔室及第一射频功率源和第二射频功率源，其中反应腔室包括相互平行设置的上电极和下电极，上电极设置在气体喷淋头内，下电极设于静电夹盘内；第一射频功率源用以在上下电极之间形成垂直方向的射频电场以产生等离子体，第二射频功率源用以调整等离子体的能量；所述反应腔室还包括环形绝缘体，环绕静电夹盘和/或静电夹盘的上方区域；以及由导线卷绕而成的开口金属环电极，嵌设于环形绝缘体中，所述金属环通有射频电流以产生水平方向的感应电场。本发明专利技术能够有效改善反应腔室内等离子体密度分布的均匀性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体加工设备，特别涉及一种等离子体处理装置。
技术介绍
近年来，随着半导体制造工艺的发展，对元件的集成度和性能要求越来越高，等离子体技术(Plasma Technology)得到了极为广泛的应用。等离子体技术通过在等离子体处理装置的反应腔室内通入反应气体并引入电子流，利用射频电场使电子加速，与反应气体发生碰撞使反应气体发生电离而等离子体，产生的等离子体可被用于各种半导体制造工艺，例如沉积工艺(如化学气相沉积)、刻蚀工艺(如干法刻蚀)等。等离子体处理工艺经常采用电容耦合型等离子体处理装置来产生等离子体。图1示出一种电容耦合型等离子体处理装置的结构示意图。如图1所示，等离子体处理装置的反应腔室I内平行设置有一对平板式的上电极2和下电极3，上电极配置于反应气体喷淋头4中，下电极配置于静电夹盘5中，待处理基片6放置于静电夹盘5上。通过在平行设置的平板式下电极3中施加高频射频，将上电极2接地，使得上电极2和下电极3间形成垂直方向的射频电场，被射频电场加速的电子与反应气体的分子发生电离冲撞，对反应气体电离以生成等离子体。然而在实际应用中，使用电容耦合型的等离子体处理装置产生的等本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体处理装置，其中，包括：反应腔室，其包括：用于夹持待处理基片的静电夹盘；用于向所述反应腔室内部输入工艺气体的气体喷淋头；相互平行设置的上电极和下电极，所述上电极设于所述气体喷淋头内，所述下电极设于所述静电夹盘内；以及第一射频功率源和第二射频功率源，通过第一射频匹配器与所述下电极相连，所述第一射频功率源用以提供射频功率在所述上电极和所述下电极之间形成垂直方向的射频电场以激发工艺气体产生等离子体，所述第二射频功率源用以调整所述等离子体的能量，其特征在于：所述反应腔室还包括环形绝缘体，其环绕所述静电夹盘和/或所述静电夹盘的上方区域；以及由导线卷绕而成的开口金属环电极，嵌设于所述环形绝缘体中...

【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理装置，其中，包括: 反应腔室，其包括: 用于夹持待处理基片的静电夹盘； 用于向所述反应腔室内部输入工艺气体的气体喷淋头； 相互平行设置的上电极和下电极，所述上电极设于所述气体喷淋头内，所述下电极设于所述静电夹盘内；以及 第一射频功率源和第二射频功率源，通过第一射频匹配器与所述下电极相连，所述第一射频功率源用以提供射频功率在所述上电极和所述下电极之间形成垂直方向的射频电场以激发工艺气体产生等离子体，所述第二射频功率源用以调整所述等离子体的能量， 其特征在于: 所述反应腔室还包括环形绝缘体，其环绕所述静电夹盘和/或所述静电夹盘的上方区域；以及由导线卷绕而成的开口金属环电极，嵌设于所述环形绝缘体中，所述开口金属环电极通有射频电流以产生水平方向的感应电场。2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述反应腔室还包括聚焦环和用于支撑所述聚焦环的 支撑环，所述聚焦环环绕所述基片，所述支撑环位于所述聚焦环下方并环绕所述静电夹盘；所述绝缘环为所述环形绝缘体，所述开口金属环电极水平嵌设于所述支撑环内。3.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述支撑环的横截面为L形或矩形。4.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述反应腔室还包括等离子体约束组件，其包含多个在垂直方向上相互堆叠并相互平行间隔设置的同心环，所述等离子体约束组件环绕所述静电夹盘上方的区域；所述等离子体约束组件中的至少一个同心环为所述环形绝缘体。5.根据权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述等离子体约束组件中的多个同心环为所述环形绝缘体，所述多个同心环中分别水平嵌设所述开口金属环电极。...

【专利技术属性】
技术研发人员：倪图强，梁洁，罗伟义，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海有限公司，
类型：发明
国别省市：