温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种等离子体处理装置，包括反应腔室及第一射频功率源和第二射频功率源，其中反应腔室包括相互平行设置的上电极和下电极，上电极设置在气体喷淋头内，下电极设于静电夹盘内；第一射频功率源用以在上下电极之间形成垂直方向的射频电场以产生等离子...
该专利属于中微半导体设备（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中微半导体设备（上海）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。