离子注入方法及离子注入装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种离子注入方法及离子注入装置，在半导体晶片的平面上，制作包括全宽度非离子注入区域和局部离子注入区域的两种平面内区域，所述两种平面内区域在与离子束的扫描方向正交的方向上交替布置一次或多次。在制作局部离子注入区域期间，在可以固定半导体晶片的状态下，进行或终止对半导体晶片的离子束照射的同时，反复进行使用离子束的往复扫描直至可以满足目标剂量。在制作全宽度非离子注入区域期间，可以在不进行对半导体晶片的离子束照射的情况下移动半导体晶片。然后，通过反复进行多次对所述半导体晶片的固定和移动，在半导体晶片的期望的区域制作离子注入区域及非离子注入区域。

【技术实现步骤摘要】
离子注入方法及离子注入装置本申请基于2012年1月27日提交的日本专利申请No.2012-15034并要求享有其优先权权益；其全部公开内容通过参考并入本文中。
本专利技术涉及一种离子注入方法以及离子注入装置，更具体地，涉及一种对用于利用离子注入装置在半导体晶片上局部地制作长度为几个毫米量级的离子注入区域的离子注入量的控制。
技术介绍
为了改变导电性、改变半导体晶片的晶体结构等目的，向半导体晶片注入离子的工艺已经变成典型的半导体制造工艺。在该工艺中使用的装置称为离子注入装置。所述离子注入装置具有提取作为离子束的在离子源中离子化的离子，然后形成加速后的离子束的功能，并且具有将该离子束传送至半导体晶片，以便将其注入所述半导体晶片的功能。诸如集成电路之类的半导体装置由多个晶体管和其他电子元件形成。目前制造的晶体管的典型尺寸为数十纳米至一百又几十纳米。在这些尺寸内，在半导体制造工艺的离子注入工艺中，仅在晶体管的一部分上进行离子注入，或者在一不同的条件下对相邻的晶体管进行离子注入。该离子注入工艺中重要的是在半导体晶片的整个平面上，在预期的位置进行满足预期的离子注入条件的离子注入。在目前的半导体制本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种使用离子注入装置的离子注入方法，在所述离子注入装置中，将离子源中产生的离子作为离子束传送至晶片，在传送中途在单轴方向的扫描方向上使用离子束进行往复扫描，可以将扫描的离子束偏转，以便将其引导向相同方向，并且可以使所述晶片朝与所述离子束的扫描方向正交的方向移动，其中在晶片平面上设定在与所述离子束的所述扫描方向正交的所述方向上至少交替布置一次或多次的两种平面内区域，其中将所述两种平面内区域中的一种平面内区域设定为在所设定的平面内区域的整个宽度上未注入离子的全宽度非离子注入区域，并且将所述两种平面内区域中的另外一种平面内区域设定为局部离子注入区域，在所述局部离子注入区域中，注入离子的离子注入区域和...

【技术特征摘要】
2012.01.27 JP 2012-0150341.一种使用离子注入装置的离子注入方法，在所述离子注入装置中，将离子源中产生的离子作为离子束传送至晶片，在传送中途在单轴方向的扫描方向上使用离子束进行往复扫描，可以将扫描的离子束偏转，以便将其引导向相同方向，并且可以使所述晶片朝与所述离子束的扫描方向正交的方向移动，其中在晶片平面上设定在与所述离子束的所述扫描方向正交的所述方向上至少交替布置一次或多次的两种平面内区域，其中将所述两种平面内区域中的一种平面内区域设定为在所设定的平面内区域的整个宽度上未注入离子的全宽度非离子注入区域，并且将所述两种平面内区域中的另外一种平面内区域设定为局部离子注入区域，在所述局部离子注入区域中，注入离子的离子注入区域和未注入离子的区域在所述离子束的扫描方向上交替地反复，并且其中，在所述两种平面内区域的每一种中，通过在不同条件下进行离子注入工艺，从而仅在所述晶片平面内的预定区域内注入离子而在除所述预定区域以外的区域内不注入离子。2.根据权利要求1所述的离子注入方法，其中，当制作所述局部离子注入区域时，通过固定所述晶片来进行离子注入，其中，当制作所述全宽度非离子注入区域时，可以在不进行离子注入的情况下使所述晶片移动，并且反复进行多次对所述晶片的固定和移动。3.根据权利要求2所述的离子注入方法，其中，在一个所述局部离子注入区域中设定的多个所述离子注入区域中，相对于所述晶片平面的离子注入角度在任意一个所述离子注入区域中均彼此平行。4.根据权利要求2所述的离子注入方法，其中，在设定于多个所述局部离子注入区域中的所述离子注入区域中，相对于晶片平面的离子注入角度在任意一个所述离子注入区域中均彼此平行。5.根据权利要求3所述的离子注入方法，其中，从基于所述离子注入区域的设定剂量以及在对所述晶片进行离子注入之前预先测量的束流电流值的计算中获得所述离子束的扫描次数的必需的数目，其中，通过在所述局部离子注入区域中，在固定所述晶片的情况下进行所获得的扫描次数的数目的离子束扫描，实现离子注入区域的设定剂量。6.根据权利要求5所述的离子注入方法，其中，当将往复扫描设定为基本单元时，所述离子束的扫描次数的数目为整数或半整数。7.根据权利要求1所述的离子注入方法，其中，当制作所述全宽度非离子注入区域时，以如下的方式终止向晶片上照射离子束：通过向安装在从所述离子源到所述晶片的离子传送区域的预定位置的电极施加电压来使所述离子束的轨迹偏转。8.根据权利要求1所述的离子注入方法，其中，当制作所述局部离子注入区域时，将使所述离子束的轨迹偏转的电极安装在从所述离子源到所述晶片的离子传送区域中的预定位置，当开始制作所述离子注入区域时，以如下的方式终止向所述晶片上照射离子束：在所述晶片上预先确定的位置坐标处去除对所述电极的电压施加，并且当所述离子注入区域的制作结束时，在所述晶片上的单独确定的位置坐标处向所述电极施加电压。9.根据权利要求1所述的离子注入方法，其中，在对一片晶片进行离子注入期间，对于每一个所述局部离子注入区域，保持多种施加电压的时间或去除电压的时间的模式，所述局部离子注入区域被设定为多个，并且保持多种所述离子束的扫描次数的数目的模式。10.根据权利要求1所述的离子注入方法，其中，在对所述晶片进行离子注入之前测量所述离子束时的所述离子束的扫描频率与在对所述晶片平面进行离子注入期间的所述离子束的扫描频率不同，其中测量所述离子束是为了测量在与所述扫描的离子束的所述扫描方向正交的方向上的束流宽度和所述束流在单位时间内通过单位面积的束流电流值。11.根据权利要求10所述的离子注入方法，其中，使用40Hz或更高的扫描频率来作为对所述晶片进行离子注入之前测量所述离子束时的所述离子束的所述扫描频率，并且其中，使用1Hz或更低的扫描频率作为对所述晶片平面进行离子注入期间的所述离子束的所述扫描频率。12.根据权利要求1所述的离子注入方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：二宫史郎，冈本泰治，弓山敏男，越智昭浩，
申请(专利权)人：斯伊恩股份有限公司，
类型：发明
国别省市：