本发明涉及一种深槽绝缘栅双极型晶体管及其制造方法。本发明中，在基底上进行离子注入，形成掺杂扩散区，其中，所形成的掺杂扩散区在靠近沟槽的边缘区域扩散的厚度大于或者等于其中心区域扩散的厚度；然后依次形成基极层、发射极层、栅区、绝缘层、重掺杂...

本实用新型提供一种MOS管的封装结构，其包括MOS芯片，MOS管的封装结构还包括安装到散热片的第一框架和用于承载MOS芯片的第二框架，第一框架和第二框架中间设有金属陶瓷片。本实用新型的封装结构具有良好的散热性和绝缘性，且工艺简单，具有很...