双极型功率晶体管制造技术

双极型功率晶体管，在正方形低掺杂N型硅的集电区上的设有正方形的高掺杂P型硅的基区，基区上设有高掺杂N型硅的反射区，所述反射区由若干排成阵列的圆形小反射区组成，每个所述小反射区的圆心处设有反射区接触孔，由反射极金属化电极条连接至反射极电极；相邻的每四个所述小反射区的中心处的基区上设有基区接触孔，由基极金属化电极条连接至基极电极；基区和反射区表面覆盖有铝层，基区和反射区之间通过绝缘槽分割开。本实用新型专利技术的版图，使反射极的宽度增加以达到更大的限流，而且面积利用率极高。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

bipolar power transistor

A bipolar power transistor, the collector region square low doped N type silicon on a highly doped P type silicon square base, base on the reflection area with high doping N type silicon, the reflection area by a plurality of rows into a circular array composed of small reflection area, the center of each of the small reflection area with reflection area of the contact hole, reflected by the very metal electrodes connected to a reflective electrode; each of the four base region of the small reflection area at the center of the adjacent base is arranged on the contact hole from the base metal electrode connected to the base electrode; surface area and the reflection area coverage a layer of aluminum, separated by an insulating groove between the base and the reflection area. The layout of the utility model increases the width of the reflector so as to achieve larger current limiting, and the utilization ratio of the area is extremely high.

【技术实现步骤摘要】
双极型功率晶体管
本技术涉及双极型功率晶体，特别涉及一种闻反压的双极型功率晶体管。
技术介绍
高反压双极型功率晶体管，一般耐压很高，Vcbo ^ 800V,功率很大，放大倍数不大，常用于电子镇流器、节能灯、充电器及各类功率开关电路。双极型功率晶体管通过硅三重扩散平面工艺，输出特性好、电流容量大。反向电压和集电区的掺杂杂质浓度，be结的深度，基区的宽度，电极的宽度有关。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种高反压，开关特性好，暗电流小的双极型功率晶体管。双极型功率晶体管，在正方形低掺杂N型硅的集电区上的设有正方形的高掺杂P型硅的基区，基区上设有高掺杂N型硅的反射区，所述反射区由若干排成阵列的圆形小反射区组成，每个所述小反射区的圆心处设有反射区接触孔，由反射极金属化电极条连接起来，连接至反射极电极；相邻的每四个所述小反射区的中心处的基区上设有基区接触孔，由基极金属化电极条连接起来，连接至基极电极；基区和反射区表面覆盖有铝层，基区和反射区之间通过绝缘槽分割开。作为本技术的进一步改进，所述双极型功率晶体管的芯片长和宽为1.4mmX1.4mm,厚度为252 μ m,集电 结深度为19本文档来自技高网...

【技术保护点】
双极型功率晶体管，在正方形低掺杂N型硅的集电区上的设有正方形的高掺杂P型硅的基区，基区上设有高掺杂N型硅的反射区，其特征是，所述反射区由若干排成阵列的圆形小反射区组成，每个所述小反射区的圆心处设有反射区接触孔，由反射极金属化电极条并联起来，连接至反射极电极；相邻的每四个所述小反射区的中心处的基区上设有基区接触孔，由基极金属化电极条并联起来，连接至基极电极；基区和反射区表面覆盖有铝层，基区和反射区之间通过绝缘槽分割开。

【技术特征摘要】
1.双极型功率晶体管，在正方形低掺杂N型硅的集电区上的设有正方形的高掺杂P型硅的基区，基区上设有高掺杂N型硅的反射区，其特征是，所述反射区由若干排成阵列的圆形小反射区组成，每个所述小反射区的圆心处设有反射区接触孔，由反射极金属化电极条并联起来，连接至反射极电极；相邻的每四个所述小反射区的中心处的基区上设有基区接触孔，由基极金属化电极条并联起来，连接至基极电极；基区和反射区表面覆盖有铝层，基区和反射区之间通过绝缘槽分割开。2.根据权利要求1所述的双极型功率晶体管，其特征是，双极型功率晶体管的芯片长和宽为1.4mmX 1.4mm,厚度为252 μ m,集电结深度为190±5 μ m。3.根据权利要求1所述的双极型功率晶体管，其特征是，所述集电区...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔峰敏，
申请(专利权)人：傲迪特半导体南京有限公司，
类型：实用新型
国别省市：