用于旋转编码器的光电二极管阵列检测器制造技术

本实用新型专利技术涉及用于旋转编码器的光电二极管阵列检测器，包括若干呈弧形条状的高掺杂P型半导体，每个弧形条状的高掺杂P型半导体外为高掺杂N型半导体；高掺杂N型半导体和高掺杂P型半导体间通过金属电极连接，所述若干弧形条状的高掺杂P型半导体并行排列；所述若干弧形条状的高掺杂P型半导体呈特定排列。本实用新型专利技术的光电二极管阵列检测器通过对高掺杂P型半导体弧形条的结构布局设计，将光电二极管阵列检测器的面积减少至接近原有的一半，并维持了原有的性能，在微型化发展的当下可用于更小尺寸的旋转编码器。尺寸的旋转编码器。尺寸的旋转编码器。

Photodiode array detector for rotary encoder

【技术实现步骤摘要】
用于旋转编码器的光电二极管阵列检测器


[0001]本技术涉及半导体功率器件，特别涉及一种用于旋转编码器的光电二极管阵列检测器。

技术介绍

[0002]旋转编码器是利用检测脉冲的方式来用来测量转速并配合PWM技术实现快速调速的装置，其组成包括光电二极管阵列。编码器对位移敏感性有较高的要求，但由于制造的局限性，高分辨率的编码器对光电二极管阵列检测器有更高的要求，需要对光电二极管阵列检测器的布局进行大量的设计工作。在CN215184001U中申请人提供了一种用于旋转编码器的光电二极管阵列检测器，利用单向递减的变曲率半径设计改善了光源波动的影响，但该光电二极管阵列检测器尺寸较大，应用受到了限制。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于提供用于旋转编码器的光电二极管阵列检测器。
[0004]为实现上述技术目的，本技术采用如下技术方案：
[0005]一种用于旋转编码器的光电二极管阵列检测器，包括若干呈弧形条状的高掺杂P型半导体，每个弧形条状的高掺杂P型半导体外为高掺杂N型半导体；高掺杂N型半导体和高掺杂P型半导体间通过金属电极连接，所述若干弧形条状的高掺杂P型半导体并行排列；所述若干弧形条状的高掺杂P型半导体从上至下依次为：
[0006]第一宽度，第一长度的弧形条；
[0007]第二宽度，第一长度的弧形条；
[0008]第二宽度，第二长度的弧形条；
[0009]第一宽度，第二长度的弧形条，且中间断开分为左右两个子弧形条；
[0010]第一宽度，第二长度的弧形条，且中间断开分为左右两个子弧形条；
[0011]第二宽度，第二长度的弧形条；
[0012]第二宽度，第一长度的弧形条；
[0013]第二宽度，第一长度的弧形条；
[0014]所述第一宽度＜第二宽度；第一长度＜第二长度。
[0015]作为本技术的进一步改进，所述若干弧形条状的高掺杂P型半导体曲率半径顺序递减，且弧形边曲率半径在9.25~13.25mm之间。
[0016]作为本技术的进一步改进，同一弧形条状高掺杂P型半导体，其弧形边曲率半径不同。
[0017]作为本技术的进一步改进，所述若干弧形条状的高掺杂P型半导体弧形边曲率半径从上至下依次为R13.25、R13.05、R12.75、R12.45、R12.20、R11.90、R11.6、R11.4、R11.2、R11.0、R10.70、R10.40、R10.15、R9.85、R9.55、R9.25。
[0018]作为本技术的进一步改进，所述两个子弧形条之间的距离为300μm。
[0019]作为本技术的进一步改进，所述高掺杂N型半导体平行环绕在弧形条状的高掺杂P型半导体外。
[0020]作为本技术的进一步改进，所述每个弧形条状的高掺杂P型半导体上一端沉积碳纳米层。
[0021]作为本技术的进一步改进，所述碳纳米层设置于高掺杂P导体外缘和金属电极无接触处。
[0022]本技术的光电二极管阵列检测器通过对高掺杂P型半导体弧形条的结构布局设计，将光电二极管阵列检测器的面积减少至接近原有的一半，并维持了原有的性能，在微型化发展的当下可用于更小尺寸的旋转编码器。
附图说明
[0023]图1为光电二极管阵列检测器平面结构示意图。
[0024]图2为弧形条状的高掺杂P型半导体结构示意图。
[0025]图3为高掺杂N型半导体结构示意图。
[0026]图4为金属电极结构示意图。
[0027]图5为碳纳米层结构示意图。
具体实施方式
[0028]如图1~5所示的光电二极管阵列检测器，包括若干呈弧形条状的高掺杂P型半导体1，每个弧形条状的高掺杂P型半导体外为高掺杂N型半导体2；高掺杂N型半导体和高掺杂P型半导体间通过金属电极3连接。若干弧形条状的高掺杂P型半导体并行排列，其曲率半径均不相同，同一弧形条状高掺杂P型半导体，其弧形边曲率半径不同。
[0029]如图2所示，所述若干弧形条状的高掺杂P型半导体1从上至下依次为：
[0030]第一宽度，第一长度的弧形条；
[0031]第二宽度，第一长度的弧形条；
[0032]第二宽度，第二长度的弧形条；
[0033]第一宽度，第二长度的弧形条，且中间断开分为左右两个子弧形条；
[0034]第一宽度，第二长度的弧形条，且中间断开分为左右两个子弧形条；
[0035]第二宽度，第二长度的弧形条；
[0036]第二宽度，第一长度的弧形条；
[0037]第二宽度，第一长度的弧形条；
[0038]所述第一宽度＜第二宽度；第一长度＜第二长度。
[0039]实施例中第一宽度=200μm，第一长度=1350μm，第二宽度=300μm，第二长度=4000μm，两个子弧形条之间的距离为300μm。
[0040]若干弧形条状的高掺杂P型半导体弧形边曲率半径从上至下依次为R13.25、R13.05、R12.75、R12.45、R12.20、R11.90、R11.6、R11.4、R11.2、R11.0、R10.70、R10.40、R10.15、R9.85、R9.55、R9.25。
[0041]每个弧形条状的高掺杂P型半导体1上一端沉积碳纳米层4，碳纳米层4设置于高掺杂P导体外缘和金属电极3无接触处。
[0042]本实施例的光电二极管阵列检测器反向击穿电压BV
R
=50V，暗电流I
D
=5nA，正向压降V
F
=1V，光谱响应范围400~1100nm。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于旋转编码器的光电二极管阵列检测器，包括若干呈弧形条状的高掺杂P型半导体，每个弧形条状的高掺杂P型半导体外为高掺杂N型半导体；高掺杂N型半导体和高掺杂P型半导体间通过金属电极连接，所述若干弧形条状的高掺杂P型半导体并行排列；其特征在于，所述若干弧形条状的高掺杂P型半导体从上至下依次为：第一宽度，第一长度的弧形条；第二宽度，第一长度的弧形条；第二宽度，第二长度的弧形条；第一宽度，第二长度的弧形条，且中间断开分为左右两个子弧形条；第一宽度，第二长度的弧形条，且中间断开分为左右两个子弧形条；第二宽度，第二长度的弧形条；第二宽度，第一长度的弧形条；第二宽度，第一长度的弧形条；所述第一宽度＜第二宽度；第一长度＜第二长度。2.根据权利要求1所述的用于旋转编码器的光电二极管阵列检测器，其特征在于，所述若干弧形条状的高掺杂P型半导体曲率半径顺序递减，且弧形边曲率半径在9.25~13.25mm之间。3.根据权利要求1所述的用于旋转编码器的光电二极管阵列检测器，其特征在于，同一弧形条状高掺杂P...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔峰敏，
申请(专利权)人：傲迪特半导体南京有限公司，
类型：新型
国别省市：