用于旋转编码器的光电二极管阵列检测器制造技术

本实用新型专利技术涉及用于旋转编码器的光电二极管阵列检测器，包括若干呈弧形条状的高掺杂N型半导体，每个弧形条状的高掺杂N型半导体外为高掺杂P型半导体；高掺杂P型半导体和高掺杂N型半导体间通过金属电极连接。本实用新型专利技术的光电二极管阵列检测器采用单向递减的变曲率半径设计，改善了光源波动的影响，稳定性好，响应度高，适用于旋转编码器。适用于旋转编码器。适用于旋转编码器。

【技术实现步骤摘要】
用于旋转编码器的光电二极管阵列检测器


[0001]本技术涉及半导体功率器件，特别涉及一种用于旋转编码器的光电二极管阵列检测器。

技术介绍

[0002]旋转编码器是利用检测脉冲的方式来用来测量转速并配合PWM技术实现快速调速的装置，其组成包括光电二极管阵列。编码器对位移敏感性有较高的要求，但由于制造的局限性，高分辨率的编码器对光电二极管阵列检测器有更高的要求，需要对光电二极管阵列检测器的布局进行大量的设计工作。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于提供用于旋转编码器的光电二极管阵列检测器。
[0004]为实现上述技术目的，本技术采用如下技术方案：
[0005]一种用于旋转编码器的光电二极管阵列检测器，包括若干呈弧形条状的高掺杂N型半导体，每个弧形条状的高掺杂N型半导体外为高掺杂P型半导体；高掺杂P型半导体和高掺杂N型半导体间通过金属电极连接。
[0006]作为本技术的进一步改进，所述若干弧形条状的高掺杂N型半导体并行排列。
[0007]作为本技术的进一步改进，所述若干弧形条状的高掺杂N型半导体曲率半径均不相同。
[0008]作为本技术的进一步改进，所述若干弧形条状的高掺杂N型半导体曲率半径顺序递减。
[0009]作为本技术的进一步改进，同一弧形条状高掺杂N型半导体，其弧形边曲率半径不同。
[0010]作为本技术的进一步改进，所述弧形条状的高掺杂N型半导体的弧形边曲率半径在10.5~16.5mm之间。
[0011]作为本技术的进一步改进，并行排列的高掺杂N型半导体中，中段的高掺杂N型半导体从中间断开，分为左右两个子弧形条。优选的，断开的弧形条状半导体宽度宽于未断开弧形条状半导体。
[0012]作为本技术的进一步改进，所述高掺杂P型半导体平行环绕在弧形条状的高掺杂N型半导体外。
[0013]作为本技术的进一步改进，所述高掺杂N型半导体外缘和金属电极无接触处设有碳纳米层。
[0014]本技术的光电二极管阵列检测器采用单向递减的变曲率半径设计，改善了光源波动的影响，稳定性好，响应度高，适用于旋转编码器。
附图说明
[0015]图1为光电二极管阵列检测器平面结构示意图。
[0016]图2为弧形条状的高掺杂N型半导体结构示意图。
[0017]图3为高掺杂P型半导体结构示意图。
[0018]图4为金属电极结构示意图。
[0019]图5为碳纳米层结构示意图。
具体实施方式
[0020]如图1~5所示的光电二极管阵列检测器，包括若干呈弧形条状的高掺杂N型半导体1，每个弧形条状的高掺杂N型半导体外为高掺杂P型半导体2；高掺杂P型半导体和高掺杂N型半导体间通过金属电极3连接。若干弧形条状的高掺杂N型半导体并行排列，其曲率半径均不相同，同一弧形条状高掺杂N型半导体，其弧形边曲率半径不同。并行排列的高掺杂N型半导体中，中段的高掺杂N型半导体从中间断开，分为左右两个子弧形条。高掺杂P型半导体平行环绕在弧形条状的高掺杂N型半导体外，高掺杂N型半导体1外缘和金属电极3无接触处设有碳纳米层4。
[0021]本实施例的光电二极管阵列检测器由10个弧形条状单元并行排列组成，中间2个弧形条状单元从中间断开，分为左右两个子弧形条，子弧形条宽度宽于未断开的弧形条。10个弧形条状单元曲率半径按排列顺序在10.5~16.5mm之间依次递减。
[0022]本实施例的光电二极管阵列检测器反向击穿电压BV
R
=50V，暗电流I
D
=5nA，正向压降V
F
=1V，光谱响应范围450~1100nm。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于旋转编码器的光电二极管阵列检测器，其特征在于，包括若干呈弧形条状的高掺杂N型半导体，每个弧形条状的高掺杂N型半导体外为高掺杂P型半导体；高掺杂P型半导体和高掺杂N型半导体间通过金属电极连接；所述若干呈弧形条状的高掺杂N型半导体并行排列，且曲率半径顺序递减。2.根据权利要求1所述的用于旋转编码器的光电二极管阵列检测器，其特征在于，同一弧形条状高掺杂N型半导体，其弧形边曲率半径不同。3.根据权利要求1所述的用于旋转编码器的光电二极管阵列检测器，其特征在于，所述弧形条状的高掺杂N型半导体的弧形边曲率半径在10.5~16.5mm之间。4.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔峰敏，
申请(专利权)人：傲迪特半导体南京有限公司，
类型：新型
国别省市：