一种高速光电探测器及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种高速光电探测器及其制备方法，该高速光电探测器包括在衬底上从下至上依次制备形成的N型InP欧姆接触层、InGaAs吸收层、InP包层以及P型InGaAs欧姆接触层，所述InGaAs吸收层的截面积小于所述InP包层的截面积。本发明专利技术结构中，InGaAs吸收层的截面积小于所述InP包层的截面积，利用InGaAs本征区的蘑菇台设计，即缩小截面积用以降低PIN二极管结电容，从而获得更高的带宽，可以满足5G高速光传输及25G/100G/200G/400G光传送网领域应用的需求。的需求。的需求。

【技术实现步骤摘要】
一种高速光电探测器及其制备方法


[0001]本专利技术涉及光通信
，特别涉及一种高速光电探测器及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着人类信息化建设的逐步加深以及经济全球化趋势的加剧，人类社会生活各方面对信息获取和交换的数量在不断的增加，对海量数据的长距离传输和带宽移动接入的需求日益凸显，因此随着5G通信、云计算、高清视频、虚拟现实等新业务的迅猛发展，25G/100G/200G/400G光传输技术正逐步成为市场热点。然而，在底层的光器件以及光芯片领域，国内的高端器件生产受到严重制约，导致目前25G以上光收发芯片国产化率较低。且目前的PIN结构的光电探测器，存在响应度较低、带宽和饱和度较低等缺点，不适于应用在高速光通信领域。因此，目前亟需可应用于5G高速光传输及25G/100G/200G/400G光传送网领域的光电探测器。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种高速光电探测器及其制备方法，可以提升带宽及响应度，继而满足5G高速光传输及25G/100G/200G/400G光传送网领域应用的需求。
[0本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高速光电探测器，包括在衬底上从下至上依次制备形成的N型InP欧姆接触层、InGaAs吸收层、InP包层以及P型InGaAs欧姆接触层，其特征在于，所述InGaAs吸收层的截面积小于所述InP包层的截面积。2.根据权利要求1所述的高速光电探测器，其特征在于，所述P型 InGaAs欧姆接触层上形成有P电极，所述P电极的厚度为400
‑
500nm。3.根据权利要求1所述的高速光电探测器，其特征在于，所述P型 InGaAs欧姆接触层的厚度为100
‑
200nm。4.根据权利要求1所述的高速光电探测器，其特征在于，所述InP包层的厚度为300
‑
500nm。5.根据权利要求1所述的高速光电探测器，其特征在于，所述N型InP欧姆接触层的厚度为500
‑
1000nm。6.权利要求1所述的高速光电探测器的制备方法，其特征在于，包括InGaAs吸收层的制备方法：以SiO2掩膜，利用H2SO4+H2O2的等向蚀刻性湿法腐蚀InGaAs，蚀刻完成后InGaAs吸收层的尺寸小于InP包层的尺寸，形成蘑菇台形貌。7.根据权利要求6所述的高速光电探测器的制备方法，其特征在于，InGaAs吸收层包含p型In
(1
‑
x)
Ga
x
As

【专利技术属性】
技术研发人员：郭银银，周鹏，张林建，
申请(专利权)人：江苏索尔思通信科技有限公司，
类型：发明
国别省市：