【技术实现步骤摘要】
光电二极管阵列检测器
[0001]本技术涉及半导体功率器件,特别涉及一种光电二极管阵列检测器。
技术介绍
[0002]纺织机纺织加工过程中的对象是各种纤维或纱线,属于柔性物体,其受外力作用后容易变形。因此纺织机的发展倾向于使用非接触式测量来检测加工过程中的参量的变化,例如光电检测。光电检测对灵敏度有较高的要求,需要对光电二极管阵列检测器的布局进行大量的设计工作,申请人在前期设计了一种变长度条形单元阵列的光电二极管阵列检测器,具有较好的稳定性,但在不同产品的应用过程中发现,在暗光下其存在灵敏度降低的问题。
技术实现思路
[0003]本技术的目的在于提供增强光灵敏性的光电二极管阵列检测器。
[0004]为实现上述技术目的,本技术采用如下技术方案:
[0005]一种光电二极管阵列检测器,包括并行排列的奇数个条形光电二极管,其中单个光电二极管组成为:低掺杂的N型半导体基底上沉积高掺杂P型半导体,高掺杂P型半导体外环相隔一段距离沉积高掺杂N型半导体;所述高掺杂P型半导体的上贴附二氧化硅薄膜;所述奇数个条形光电二极管从中间到两边与光电二极管阵列检测器底边夹角依次减小,变化范围为 90
°
~76.5
°
。
[0006]作为本技术的进一步改进,相邻条形光电二极管夹角的差值呈等差数列。
[0007]作为本技术的进一步改进,所述光电二极管阵列检测器呈轴对称结构。
[0008]作为本技术的进一步改进,所述低掺杂的N型半导体、高掺杂P型半导体、高掺杂 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种光电二极管阵列检测器,包括并行排列的奇数个条形光电二极管,其中单个光电二极管组成为:低掺杂的N型半导体基底上沉积高掺杂P型半导体,高掺杂P型半导体外环相隔一段距离沉积高掺杂N型半导体;其特征在于,所述高掺杂P型半导体的上贴附二氧化硅薄膜;所述奇数个条形光电二极管从中间到两边与光电二极管阵列检测器底边夹角依次减小,变化范围为90
°
~76.5
°
。2.根据权利要求1所述的一种光电二极管阵列检测器,其特征在于,相邻条形光电二极管夹角的差值呈等差数列。3.根据权利要求1所述的光电二极管阵列检测器,其特征在于,所述光电二极管阵列检测器呈轴对称结构。...
【专利技术属性】
技术研发人员:崔峰敏,
申请(专利权)人:傲迪特半导体南京有限公司,
类型:新型
国别省市:
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