生活家电用小信号晶体管制造技术

本实用新型专利技术涉及一种生活家电用小信号晶体管，集电区上依次设有反型半导体的基区和同型半导体的发射区，晶体管有源区呈对角对称结构，晶体管基区呈圆角矩形结构，基区上为发射区，所述发射区呈缺失一角的圆角矩形状，缺失的一角呈扇形结构；缺失角处沉积碳纳米层。本实用新型专利技术的小功率晶体管通过对集电区结构的设计，缩减了晶体管的尺寸，并具有稳定的性能，本实用新型专利技术的小信号晶体管可用于生活家电。本实用新型专利技术的小信号晶体管可用于生活家电。本实用新型专利技术的小信号晶体管可用于生活家电。

Small signal transistor for household appliances

【技术实现步骤摘要】
生活家电用小信号晶体管


[0001]本技术涉及半导体功率器件，特别涉及一种生活家电用小信号晶体管。

技术介绍

[0002]晶体管按功率分类大体可分为功率晶体管和小信号晶体管，随着封测技术的不断进步，小信号功率管产品逐代更迭，对产品的要求也越来越高，整机产品对元器件体积苛刻的限制、对芯片供电mA级别的电流需求均对小信号功率管提出了更高的要求。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于提供一种生活家电用小信号晶体管。
[0004]为实现上述技术目的，本技术采用如下技术方案：
[0005]一种生活家电用小信号晶体管，集电区上依次设有反型半导体的基区和同型半导体的发射区，晶体管有源区呈对角对称结构，晶体管基区呈圆角矩形结构，基区上为发射区，所述发射区呈缺失一角的圆角矩形状，缺失的一角呈扇形结构；缺失角处沉积碳纳米层。
[0006]作为一种优选的实施方式，所述集电区上边缘设有保护环结构，所述保护环结构和发射区掺杂浓度相同，
[0007]作为一种优选的实施方式，所述保护环、集电区的外环、发射区的外环、基区的内外环上沉积钝化层。
[0008]作为一种优选的实施方式，所述发射区的内环、基区的中环、集电区的中环、钝化层的内外环上沉积碳纳米层。
[0009]作为一种优选的实施方式，所述钝化层上未沉积碳纳米层处贴附金属电极。
[0010]作为一种优选的实施方式，所述发射区、发射区缺失角沉积碳纳米层外设有保护膜。
[0011]本技术的小功率晶体管通过对集电区结构的设计，缩减了晶体管的尺寸，并具有稳定的性能，本技术的小信号晶体管可用于生活家电。
附图说明
[0012]图1为晶体管平面结构示意图。
[0013]图2为图1A处断面图。
[0014]图3为基区掩膜结构图。
[0015]图4为同沉积浓度的保护环和发射区掩膜结构图。
[0016]图5位碳纳米层掩膜结构图。
具体实施方式
[0017]如图1
‑
5所示的晶体管，晶体管尺寸为290μm*290μm，有源区尺寸206μm*206μm。
[0018]1集电区上依次设有反型半导体的基区2和同型半导体的发射区3，晶体管有源区呈对角对称结构，晶体管基区2呈圆角矩形结构，基区2上为发射区，发射区3呈缺失一角的圆角矩形状，缺失的一角呈扇形结构；缺失角处沉积碳纳米层6。集电区1上边缘设有保护环结构4，保护环结构4和发射区3掺杂浓度相同，保护环4、集电区1的外环、发射区3的外环、基区2的内外环上沉积钝化层5。发射区3的内环、基区2的中环、集电区1的中环、钝化层5的内外环上沉积碳纳米层6。钝化层5上未沉积碳纳米层6处贴附金属电极7。发射区3、发射区3缺失角沉积碳纳米层6外设有保护膜8。
[0019]本实施例的晶体管，NPN型BV
CBO
=60V，BV
CEO
=50V，BV
EBO
=5V，IC=150mA。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种生活家电用小信号晶体管，集电区上依次设有反型半导体的基区和同型半导体的发射区，晶体管有源区呈对角对称结构，其特征在于，晶体管基区呈圆角矩形结构，基区上为发射区，所述发射区呈缺失一角的圆角矩形状，缺失的一角呈扇形结构；缺失角处沉积碳纳米层。2.根据权利要求1所述的小信号晶体管，其特征在于，所述集电区上边缘设有保护环结构。3.根据权利要求2所述的小信号晶体管，其特征在于，所述保护...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔峰敏，
申请(专利权)人：傲迪特半导体南京有限公司，
类型：新型
国别省市：