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本实用新型涉及一种生活家电用小信号晶体管，集电区上依次设有反型半导体的基区和同型半导体的发射区，晶体管有源区呈对角对称结构，晶体管基区呈圆角矩形结构，基区上为发射区，所述发射区呈缺失一角的圆角矩形状，缺失的一角呈扇形结构；缺失角处沉积碳纳米...
该专利属于傲迪特半导体（南京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过傲迪特半导体（南京）有限公司授权不得商用。

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