半导体装置和其形成方法制造方法及图纸

一种半导体装置和其形成方法，半导体装置包括从基板延伸的第一鳍片、在第一鳍片上且沿着第一鳍片的侧壁的第一栅极堆叠、沿着第一栅极堆叠的侧壁配置的第一栅极间隔物以及在第一鳍片中且邻近第一栅极间隔物的第一磊晶源极/漏极区域，第一磊晶源极/漏极区域的外表面在第一平面具有多于八个晶面，第一平面正交于基板的顶表面。基板的顶表面。基板的顶表面。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置和其形成方法


[0001]本公开是关于半导体装置和其形成方法。

技术介绍

[0002]半导体装置使用在多种电子产品中，例如个人计算机、手机、数字相机和其他电子设备。半导体装置的制造通常通过依序在半导体基板上方沉积绝缘层或介电层、导电层和半导体层的材料，并使用微影技术图案化多种材料层以在半导体基板上形成电路组件和元件。
[0003]半导体工业通过持续缩减最小特征尺寸以持续改善多种电子组件(例如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，从而允许更多组件集成在给定区域中。

技术实现思路

[0004]根据本公开的实施例，提供一种半导体装置，包括从基板延伸的第一鳍片、在第一鳍片上且沿着第一鳍片的侧壁的第一栅极堆叠、沿着第一栅极堆叠的侧壁配置的第一栅极间隔物、在第一鳍片中且邻近第一栅极间隔物的第一磊晶源极/漏极区域，其中第一磊晶源极/漏极区域的外表面在第一平面具有多于八个晶面，第一平面正交于基板的顶表面。
[0005]根据本公开的实施例，提供一种形成半导体装置的方法，包括在从基板延伸的第一鳍片上和沿着第一鳍片的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：一第一鳍片从一基板延伸；一第一栅极堆叠在该第一鳍片上且沿着该第一鳍片的侧壁；一第一栅极间隔物沿着该第一栅极堆叠的侧壁设置；及一第一磊晶源极/漏极区域在该第一鳍片中且邻近该第一栅极间隔物，该第一磊晶源极/漏极区域的一外表面在一第一平面具有多于八个晶面，该第一平面正交于该基板的一顶表面。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第一磊晶源极/漏极区域包括：一第一磊晶层在该第一鳍片上，该第一磊晶层具有硼的一第一掺杂浓度；及一第二磊晶层在该第一磊晶层上，该第二磊晶层具有硼的一第二掺杂浓度，该第二掺杂浓度大于该第一掺杂浓度。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，进一步包括：一第二鳍片从该基板延伸；一第二栅极堆叠在该第二鳍片上且沿着该第二鳍片的侧壁；一第二栅极间隔物沿着该第二栅极堆叠的侧壁设置；及一第二磊晶源极/漏极区域在该第二鳍片中且邻近该第二栅极间隔物，该第二磊晶源极/漏极区域包括一第三磊晶层，该第三磊晶层具有不同于该第一磊晶层和该第二磊晶层的材料组成。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第一磊晶源极/漏极区域的该外表面上的所述晶面沿着(111)、(113)和(119)平面。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，进一步包括：一蚀刻停止层在该第一磊晶源极/漏极区域上和该第一栅极间隔物的侧壁上；一第一层间介电质在该蚀刻停止层上；一第二层间介电质在该第一层间介电质上；及一第一导电接触延伸穿过该第一层间介电质、该第二层间介电质和该蚀刻停止层，该第一导电接触电性耦接至该第一磊晶源极/漏极区域。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第一磊晶源极/漏极区域的该外表面上邻近的所述晶面交错形成一第一角度，该第一角度在140
°...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐瀚楀，张宏台，游明华，杨育佳，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：