静电保护器件制造技术

本发明专利技术公开了一种静电保护器件，包括至少一个三极管形成，三极管包括：具有第一导电类型掺杂的第一阱区；具有第二导电类型掺杂的第二漂移区；第一阱区和第二漂移区横向接触并形成第一接触面；在第一阱区的表面选定区域中形成有第二导电类型重掺杂的第一扩散区，第一扩散区和第一接触面之间具有第一间距；在第二漂移区的表面选定区域中形成有第二导电类型重掺杂的第二扩散区，第二扩散区和第一接触面之间具有第二间距；在第一扩散区的远离第一接触面一侧的第一阱区的表面的选定区域中形成有第一导电类型重掺杂的第三扩散区；在第二扩散区底部还形成有第二导电类型的第三阱区。本发明专利技术能器件的击穿电压得到保持和提升同时提升静电保护能力。静电保护能力。静电保护能力。

【技术实现步骤摘要】
静电保护器件


[0001]本专利技术涉及一种半导体集成电路，特别是涉及一种静电保护(ESD)器件。

技术介绍

[0002]如图1所示，是静电保护器件的应用电路图；静电保护器件102设置在输入输出焊垫101和地之间，当输入输出焊垫101中出现静电时静电保护器件102被触发并对静电进行泄放，从而实现对内部电路103的保护。
[0003]如图2A所示，是现有静电保护器件的剖面结构示意图；图2B是图2A中一个三极管的剖面结构示意图；现有静电保护器件至少包括一个三极管，以所述三极管为PNP为例，所述三极管包括：
[0004]具有N型掺杂的第一阱区204。
[0005]具有P型掺杂的第二漂移区205。
[0006]所述第一阱区204和所述第二漂移区205横向接触并形成第一接触面，图2B中，所述第一接触面如线AA所示。
[0007]在所述第一阱区204的表面选定区域中形成有P型重掺杂的第一扩散区206a，所述第一扩散区206a和所述第一接触面之间具有第一间距s101。
[0008]在所述第二漂移区205的表面选本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种静电保护器件，其特征在于，静电保护器件至少包括一个三极管，所述三极管包括：具有第一导电类型掺杂的第一阱区；具有第二导电类型掺杂的第二漂移区；所述第一阱区和所述第二漂移区横向接触并形成第一接触面；在所述第一阱区的表面选定区域中形成有第二导电类型重掺杂的第一扩散区，所述第一扩散区和所述第一接触面之间具有第一间距；在所述第二漂移区的表面选定区域中形成有第二导电类型重掺杂的第二扩散区，所述第二扩散区和所述第一接触面之间具有第二间距；在所述第一扩散区的远离所述第一接触面一侧的所述第一阱区的表面的选定区域中形成有第一导电类型重掺杂的第三扩散区；在所述第二扩散区底部还形成有第二导电类型的第三阱区；由所述第二漂移区、所述第三阱区和所述第二扩散区一起组成集电区；由所述第一阱区组成基区，所述第三扩散区为所述基区的引出区；由所述第一扩散区组成发射区；所述第一扩散区和所述第三扩散区都连接到由正面金属层组成的发射极；所述第二扩散区连接到由正面金属层组成的集电极；所述第二间距的区域范围为所述集电区的有效耐压区域，所述第三阱区位于所述第二扩散区底部的结构使得所述集电区的有效耐压区域由所述第二漂移区确定，所述静电保护器件的击穿电压由所述第二间距保证或提升，所述第二间距越大，所述静电保护器件的击穿电压越大；所述第三阱区用于降低所述集电区的有效电阻并从而提升静电保护能力。2.如权利要求1所述的静电保护器件，其特征在于：在版图结构上，所述第二扩散区和所述第三阱区的版图结构相同且对齐。3.如权利要求2所述的静电保护器件，其特征在于：所述第二间距通过所述第二扩散区的版图位置设置实现调节。4.如权利要求2所述的静电保护器件，其特征在于：所述三极管形成在第二导电类型外延层中。5.如权利要求4所述的静电保护器件，其特征在于：所述第二导电类型外延层形成于半导体衬底上，在所述半导体衬底的顶部表面和所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：韦敏侠，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：