用于纺织机的光电二极管阵列检测器制造技术

本实用新型专利技术涉及用于纺织机的光电二极管阵列检测器，包括并行排列的n个条形光电二极管，其中单个光电二极管组成为：低掺杂的N型半导体基底上沉积高掺杂P型半导体，高掺杂P型半导体外环相隔一段距离沉积高掺杂N型半导体。本实用新型专利技术的光电二极管阵列检测器采用变长度的条形单元阵列设计，稳定性好，响应度高，适用于纺织机。用于纺织机。用于纺织机。

【技术实现步骤摘要】
用于纺织机的光电二极管阵列检测器


[0001]本技术涉及半导体功率器件，特别涉及一种用于纺织机的光电二极管阵列检测器。

技术介绍

[0002]纺织机纺织加工过程中的对象是各种纤维或纱线，属于柔性物体，其受外力作用后容易变形。因此纺织机的发展倾向于使用非接触式测量来检测加工过程中的参量的变化，例如光电检测。光电检测对灵敏度有较高的要求，需要对光电二极管阵列检测器的布局进行大量的设计工作。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于提供用于纺织机的光电二极管阵列检测器。
[0004]为实现上述技术目的，本技术采用如下技术方案：
[0005]一种用于纺织机的光电二极管阵列检测器，包括并行排列的n个条形光电二极管，其中单个光电二极管组成为：低掺杂的N型半导体基底上沉积高掺杂P型半导体，高掺杂P型半导体外环相隔一段距离沉积高掺杂N型半导体。
[0006]作为本技术的进一步改进，所述光电二极管阵列检测器呈轴对称结构。
[0007]作为本技术的进一步改进，所述并行排列的n个条形光电二极管一端等距排列，另一端不等距排列，使光电二极管组成的阵列呈等腰梯形。
[0008]作为本技术的进一步改进，所述低掺杂的N型半导体、高掺杂P型半导体、高掺杂N型半导体上铺设金属电极层，金属电极层在高掺杂P型半导体近外环处设有断层。
[0009]作为本技术的进一步改进，所述断层内沉积碳纳米层。
[0010]作为本技术的进一步改进，所述碳纳米层向外环延伸至接触高掺杂N型半导体。
>[0011]作为本技术的进一步改进，所述金属电极层为Al。
[0012]作为本技术的进一步改进，所述n为奇数。
[0013]本技术的光电二极管阵列检测器采用变长度的条形单元阵列设计，稳定性好，响应度高，适用于纺织机。
附图说明
[0014]图1为光电二极管阵列检测器平面结构示意图。
[0015]图2为图1A处断面结构示意图。
[0016]图3为高掺杂P型半导体平面结构示意图。
具体实施方式
[0017]如图1～3所示的光电二极管阵列检测器，包括并行排列的n个条形光电二极管，单
个光电二极管组成为：低掺杂的N型半导体基底1上沉积高掺杂P型半导体2，高掺杂P型半导体2外环相隔一段距离沉积高掺杂N型半导体3。光电二极管阵列检测器呈轴对称结构，并行排列的n个条形光电二极管一端等距排列，另一端不等距排列，使光电二极管组成的阵列呈等腰梯形。
[0018]低掺杂的N型半导体1、高掺杂P型半导体2、高掺杂N型半导体3上铺设金属电极层6，金属电极层6材质为Al，金属电极层6在高掺杂P型半导体2近外环处设有断层。断层内沉积碳纳米层5，碳纳米层5向外环延伸至接触高掺杂N型半导体3。
[0019]本实施例的光电二极管阵列检测器由13个条形光电二极管并行排列组成，中间的光电二极管垂直于封装的芯片底端，两侧的条形光电二极管与相邻条形光电二极管顶端间距950μm，底端依次间距1230μm、1240μm、1240μm、1240μm、1570μm、1370μm。
[0020]本实施例的光电二极管阵列检测器反向击穿电压BV
R
＝50V，暗电流I
D
＝5nA，正向压降V
F
＝1V，光谱响应范围430～1100nm。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于纺织机的光电二极管阵列检测器，其特征在于，包括并行排列的n个条形光电二极管，其中单个光电二极管组成为：低掺杂的N型半导体基底上沉积高掺杂P型半导体，高掺杂P型半导体外环相隔一段距离沉积高掺杂N型半导体。2.根据权利要求1所述的用于纺织机的光电二极管阵列检测器，其特征在于，所述光电二极管阵列检测器呈轴对称结构。3.根据权利要求1或2所述的用于纺织机的光电二极管阵列检测器，其特征在于，所述并行排列的n个条形光电二极管一端等距排列，另一端不等距排列，使光电二极管组成的阵列呈等腰梯形。4.根据权利要求1所述的用于纺织机的光电二极管阵...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔峰敏，
申请(专利权)人：傲迪特半导体南京有限公司，
类型：新型
国别省市：