【技术实现步骤摘要】
IGBT模块用快恢复整流二极管
[0001]本技术涉及半导体功率器件,特别涉及IGBT模块用快恢复整流二极管。
技术介绍
[0002]快恢复二极管是一种具有开关特性好、反向恢复时间短的特点的半导体二极管,主要作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中。不同的应用领域对快恢复二极管的性能有不同的需求。IGBT管在使用时,一般在 EC极之间并联一个快恢复二极管,来保护IGBT管不被较高的反向电压击穿,凡是有高压反向电压的场合,就可使用快恢复二极管进行保护。采用性能优异的快恢复整流二极管替代普通整流二极管进行续流和整流,也有利于使用IGBT模块的变频器性能提高、体积缩小、工作稳定。
技术实现思路
[0003]本技术的目的在于提供一种IGBT模块用快恢复整流二极管。
[0004]为实现上述技术目的,本技术采用如下技术方案:
[0005]一种IGBT模块用快恢复整流二极管,低掺杂的N型硅衬底上设有高掺杂P型硅基区,形成PN结,低掺杂的N型硅衬底呈圆角长方体状,所述N型硅衬底上有3个环形结构,外环为高掺杂N型硅环,高掺杂P型硅基区和外环高掺杂N型硅环中间有两个高掺杂P型硅基环,所述N型硅衬底、高掺杂P型硅基区、高掺杂P型硅基环和高掺杂N型硅环上沉积氮掺杂碳纳米层,所述P型硅基环顶端包裹在氮掺杂碳纳米层内。
[0006]作为本技术的进一步改进,所述P型硅基环顶端在氮掺杂碳纳米层中的深度为 1~2μm。
[0007]作为本技术的进一步 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种IGBT模块用快恢复整流二极管,低掺杂的N型硅衬底上设有高掺杂P型硅基区,形成PN结,低掺杂的N型硅衬底呈圆角长方体状,所述N型硅衬底上有3个环形结构,外环为高掺杂N型硅环,高掺杂P型硅基区和外环高掺杂N型硅环中间有两个高掺杂P型硅基环,其特征在于,所述N型硅衬底、高掺杂P型硅基区、高掺杂P型硅基环和高掺杂N型硅环上沉积氮掺杂碳纳米层,所述P型硅基环顶端包裹在氮掺杂碳纳米层内;所述P型硅基环顶端在氮掺杂碳纳米层中的深度为1~2μm。2.根据权利要求1所述的一种IGBT模块用快恢复整流二极管,其特征在于,...
【专利技术属性】
技术研发人员:崔峰敏,
申请(专利权)人:傲迪特半导体南京有限公司,
类型:新型
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。