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本实用新型涉及IGBT模块用快恢复整流二极管，低掺杂的N型硅衬底上设有高掺杂P型硅基区，形成PN结，低掺杂的N型硅衬底呈圆角长方体状，所述N型硅衬底上有3个环形结构，外环为高掺杂N型硅环，高掺杂P型硅基区和外环高掺杂N型硅环中间有两个高掺杂...
该专利属于傲迪特半导体（南京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过傲迪特半导体（南京）有限公司授权不得商用。

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