具有直段阳极的二极管制造技术

描述了二极管结构和制造二极管结构的方法。在一个示例中，二极管结构是PIN二极管结构，并且包括形成在衬底上的N型层、形成在N型层上的本征层以及形成在本征层上的P型层。P型层形成二极管结构的阳极，并且阳极形成为四边形的阳极。根据实施方式，阳极的顶表面可以形成有一个或更多个直段，例如四边形阳极，以减小热阻或电导通电阻中的至少一个。这些变化等可以改进PIN二极管结构的整体功率处理能力。可以改进PIN二极管结构的整体功率处理能力。可以改进PIN二极管结构的整体功率处理能力。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有直段阳极的二极管
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2019年2月7日提交的美国临时申请第62/802,397号的权益，其全部内容通过引用并入本文。

技术介绍

[0003]PIN(P型
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本征
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N型)二极管是在P型半导体区与N型半导体区之间具有无掺杂的本征半导体区的二极管。可以通过在衬底上垂直地进行各层的生长、沉积或其他布置来制造PIN二极管。P型区和N型区通常是重掺杂的，因为它们用于欧姆接触。顶部P型区是PIN二极管的阳极，并且底部N型区或衬底是PIN二极管的阴极。在P型区与N型区之间包括本征区与不包括本征区的普通PN二极管形成了对比。在未偏置时，PIN二极管处于高阻抗状态并且可以表示为电容器。
[0004]如果相对于PIN二极管的阴极向阳极施加大于阈值的正电压，则电流将流过PIN二极管并且阻抗将降低。处于正向偏置状态的PIN二极管可以表示为电阻器，该电阻器的值随着通过PIN二极管的电流增加而降低至最小值。将PIN二极管从高阻抗(关断)状态改变为低阻抗(导通)状态的偏置可以是直流偏本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种PIN二极管结构，包括：包括第一掺杂剂的砷化镓(GaAs)半导体材料的N型层；形成在所述N型层上的GaAs半导体材料的本征层；以及形成在所述本征层上的包括第二掺杂剂的GaAs半导体材料的P型层，其中，所述P型层形成为所述PIN二极管结构的四边形阳极。2.根据权利要求1所述的PIN二极管结构，其中，所述P型层包括砷化铝镓(AlGaAs)半导体材料的P型层。3.根据权利要求1至2中至少一项所述的PIN二极管结构，其中，所述N型层形成为所述PIN二极管结构的四边形阴极。4.根据权利要求1至3中至少一项所述的PIN二极管结构，其中，所述P型层的顶表面的宽度小于所述本征层的顶表面的宽度。5.根据权利要求1至4中至少一项所述的PIN二极管结构，其中，所述四边形阳极的顶表面周界包括至少一个直边段和至少一个弯曲边段。6.根据权利要求1至5中至少一项所述的PIN二极管结构，其中，所述四边形阳极形成为正方形阳极。7.根据权利要求1至6中至少一项所述的PIN二极管结构，其中，所述四边形阳极形成为矩形阳极。8.根据权利要求1至7中至少一项所述的PIN二极管结构，其中，所述第一掺杂剂是硅并且所述第二掺杂剂是碳。9.根据权利要求1至8中至少一项所述的PIN二极管结构，其中，所述N型层形成为所述PIN二极管结构的四边形阴极。10.根据权利要求1至9中至少一项所述的PIN二极管结构，还包括衬底，其中，所述N型层、所述本征层和所述P型层形成在所述衬底上。11.一种二极管结构，包括：第一掺杂类型的砷化铝镓(AlGaAs)半导体材料...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒂莫西，
申请(专利权)人：镁可微波技术有限公司，
类型：发明
国别省市：