公开了具有有源区的半导体激光器，该有源区具有纵向轴线、第一刻面端和第二刻面端。第二刻面端发射来自各自半导体激光器的主输出光束。第一刻面端可以具有低反射涂层。第一刻面端可以不垂直于有源区的纵向轴线。半导体激光器可以是沿着有源区的纵向轴线具...

一种半导体激光器可以包括具有纵向轴线、后刻面端和前刻面端的有源区。前刻面端发射半导体激光器的输出光束。半导体激光器可以包括沿着有源区的纵向轴线定位的多个衍射光栅。多个衍射光栅包括靠近有源区的后刻面端定位的第一衍射光栅和纵向地定位在第一衍...

披露了一种连同半导体激光器一起对激光束进行整形并且修改该激光束的方向的反射表面。可以在邻近激光器结构设置的结构上形成该反射表面以允许将激光高耦合到例如硅光子芯片或光纤。片或光纤。片或光纤。

描述了示例偏振分离器和旋转器器件。在一个示例中，一种光学设备包括：分离器，配置为将光信号分离成具有第一偏振的第一信号和具有第二偏振的第二信号；偏振旋转器，配置为将第二信号的第二偏振旋转为第三偏振；和偏振模式转换器，配置为将第二信号的第三...

本发明公开了用于功率器件中的谐波控制的电容器网络。提出了用于谐波控制和其他目的的电容器网络的新类型、结构和布置。在一个示例中，集成器件包括电容器网络和一个或更多个功率器件。电容器网络包括接合焊盘和金属

描述了二极管结构和制造二极管结构的方法。在一个示例中，二极管结构是PIN二极管结构，并且包括形成在衬底上的N型层、形成在N型层上的本征层以及形成在本征层上的P型层。P型层形成二极管结构的阳极，并且阳极形成为四边形的阳极。根据实施方式，阳...

描述了多个单片多掷二极管开关。单片多掷二极管开关可以包括具有不同本征区的混合布置的二极管，所有二极管被形成在同一半导体衬底上方。在一个示例中，单片多掷二极管开关中的两个PIN二极管具有不同的本征区厚度。第一PIN二极管具有较薄的本征区，...

描述了许多单片二极管限制器半导体结构。二极管限制器可以包括具有不同本征区的二极管的混合排列，所有二极管都形成在相同的半导体衬底上方。在一个示例中，二极管限制器半导体结构中的两个PIN二极管具有不同的本征区厚度。第一PIN二极管具有较薄的...

描述了有具有不同本征区的多个二极管的单片、垂直、平面半导体结构。二极管具有彼此相比不同厚度的本征区。在一个示例中，半导体结构包括N型硅衬底、在N型硅衬底上形成的本征层以及本征层上形成的介电层。在介电层中形成多个开口。多个阳极通过介电层中...

描述了用于低负载调制功率放大器(500)的装置和方法。低负载调制功率放大器可以包括并联连接以放大已被划分为并联电路分支的信号的多个放大器。放大器之一可以以第一放大类操作为主放大器(132)，并且其余放大器可以以第二放大类操作为峰值放大器...

用于制造半导体结构的方法包括：在硅衬底上限定一个或更多个器件区域和一个或更多个互连区域；在硅衬底的互连区域中形成沟槽；使沟槽中的硅衬底氧化以形成二氧化硅区；在硅衬底的表面上形成第III族氮化物材料层；在氮化镓层的器件区域中形成器件；以及...

公开了用于提供弯曲端面的半导体激光器的技术。在一个特定实施例中，该技术可以被实现为包括波导的半导体激光器，其中波导包括在半导体激光器的边缘处形成的端面，并且该端面具有曲率。

公开了一种光子集成电路及其制造方法和基板以及半导体激光器。一种光子集成电路PIC，包括：半导体激光器，其包括锥形激光器配合表面和接触表面；以及基板，其包括形成在所述基板中的锥形基板配合表面和凹陷着陆区域，其中，所述锥形基板配合表面被配置...

描述了用于多类、宽带、空载调制功率放大器的装置和方法。功率放大器(500)可以包括以第一放大类操作的主放大器(532)和以第二放大类操作的多个峰值放大器(536，537，538)。主放大器(532)和峰值放大器(536，537，538)...

描述了一种可调谐激光器装置。在一个示例中，可调谐激光器装置包括自适应环形镜、增益波导、环路镜波导和升压放大器波导。增益波导和升压放大器波导可以形成在可调谐激光器装置的半导体光放大器(SOA)区域中，并且自适应环形镜和环路镜波导可以形成在...

描述了发送器的输出功率的自动调节。在一个实施方式中，光学发送器被引导传输光脉冲通过通信链路例如光纤电缆并且参考该传输来启动计时器。对发送器的输出抽头进行监测以检测光脉冲的传输以及由于该传输而发生的任何反射事件。对最终反射事件进行识别，连...

激光器结构可以包括基底、布置在基底上的有源区、和布置在有源区上的波导。所述波导可以包括第一表面和第二表面，所述第一表面和所述第二表面接合以形成相对于所述有源区的第一角度。在所述波导的所述第一表面和所述第二表面上可以沉积有材料。

半导体激光器可以包括衬底、有源区和电子阻止层。电子阻止层可以包括铝镓铟砷磷合金。铝镓铟砷磷合金可以具有AlxGayIn(1‑x‑y)AszP(1‑z)组分。

公开了在光子集成电路(PIC)中有效对准半导体激光器的技术。在一些实施方式中，光子集成电路(PIC)可以包括：半导体激光器，其包括激光器配合表面；以及基板，其包括基板配合表面。激光器配合表面的形状和基板配合表面的形状可以被配置成在三个维...

本申请涉及具有光束形状修改的激光器。提供一种用于半导体激光器的光束控制结构，其允许光束形状修改，从而允许例如更高的耦合到光纤中。所述结构可以包含倾斜天井、阶梯、反射顶板和反射侧壁中的一个或多个。