镁可微波技术有限公司专利技术

镁可微波技术有限公司共有11项专利

  • 公开了一种光子集成电路及其制造方法和基板以及半导体激光器。一种光子集成电路PIC,包括:半导体激光器,其包括锥形激光器配合表面和接触表面;以及基板,其包括形成在所述基板中的锥形基板配合表面和凹陷着陆区域,其中,所述锥形基板配合表面被配置...
  • 描述了用于多类、宽带、空载调制功率放大器的装置和方法。功率放大器(500)可以包括以第一放大类操作的主放大器(532)和以第二放大类操作的多个峰值放大器(536,537,538)。主放大器(532)和峰值放大器(536,537,538)...
  • 描述了一种可调谐激光器装置。在一个示例中,可调谐激光器装置包括自适应环形镜、增益波导、环路镜波导和升压放大器波导。增益波导和升压放大器波导可以形成在可调谐激光器装置的半导体光放大器(SOA)区域中,并且自适应环形镜和环路镜波导可以形成在...
  • 描述了发送器的输出功率的自动调节。在一个实施方式中,光学发送器被引导传输光脉冲通过通信链路例如光纤电缆并且参考该传输来启动计时器。对发送器的输出抽头进行监测以检测光脉冲的传输以及由于该传输而发生的任何反射事件。对最终反射事件进行识别,连...
  • 激光器结构可以包括基底、布置在基底上的有源区、和布置在有源区上的波导。所述波导可以包括第一表面和第二表面,所述第一表面和所述第二表面接合以形成相对于所述有源区的第一角度。在所述波导的所述第一表面和所述第二表面上可以沉积有材料。
  • 半导体激光器可以包括衬底、有源区和电子阻止层。电子阻止层可以包括铝镓铟砷磷合金。铝镓铟砷磷合金可以具有AlxGayIn(1‑x‑y)AszP(1‑z)组分。
  • 公开了在光子集成电路(PIC)中有效对准半导体激光器的技术。在一些实施方式中,光子集成电路(PIC)可以包括:半导体激光器,其包括激光器配合表面;以及基板,其包括基板配合表面。激光器配合表面的形状和基板配合表面的形状可以被配置成在三个维...
  • 具有光束形状修改的激光器
    本申请涉及具有光束形状修改的激光器。提供一种用于半导体激光器的光束控制结构,其允许光束形状修改,从而允许例如更高的耦合到光纤中。所述结构可以包含倾斜天井、阶梯、反射顶板和反射侧壁中的一个或多个。
  • 具有光束形状修改的激光器
    本申请涉及具有光束形状修改的激光器。提供一种用于半导体激光器的光束控制结构,其允许光束形状修改,从而允许例如更高的耦合到光纤中。所述结构可以包含倾斜天井、阶梯、反射顶板和反射侧壁中的一个或多个。
  • 用于E频带应用的具有多个独立中频的双下变频
    一种装置,包括第一接收机和第二接收机。第一接收机可以被配置为响应于射频(RF)输入信号和第一本机振荡器信号而生成多个第一中频信号。第二接收机可以被配置为响应于第一中频信号而生成多个输出信号。输出信号中的每个响应于第一中频信号中的相应的一...
  • 具有光束形状和光束方向修改的激光器
    披露了一种连同半导体激光器一起对激光束进行整形并且修改该激光束的方向的反射表面。可以在邻近激光器结构设置的结构上形成该反射表面以允许将激光高耦合到例如硅光子芯片或光纤。
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