一种重金属快速扩散二极管芯片制备方法技术

本发明专利技术公开了一种重金属快速扩散二极管芯片制备方法，包括二极管粗制基板制作、P极半导体层的重金属扩散、N极半导体层的重金属扩散、清洗、酸洗和抛光等步骤；本发明专利技术具有制作出高性能的可变阻抗二极管等优点，因此本发明专利技术可广泛应用于电子技术领域。广泛应用于电子技术领域。广泛应用于电子技术领域。

【技术实现步骤摘要】
一种重金属快速扩散二极管芯片制备方法


[0001]本专利技术涉及电子
，具体是指一种重金属快速扩散二极管芯片制备方法。

技术介绍

[0002]PIN二极管对于微波信号呈现线性电阻效果，对于微波信号不呈非线性整流作用，因此合适用于微波控制器件；但是在使用高频微波驱动闪烁时，PIN二极管不可避免的需要增设外界电路来提升整体的工作能力，这就无形之中增加了电路的复杂度和成本，因此研发一种可制备出高性能可变阻抗二极管的重金属快速扩散二极管芯片制备方法是具有重要现实意义的。

技术实现思路

[0003]为解决上述技术问题，本专利技术公开了一种重金属快速扩散二极管芯片制备方法，步骤如下：
[0004]S1：在P极半导体层与N极半导体层之间设置本征半导体层，其中P极半导体层嵌压在本征半导体层中，该步骤结束后得到二极管粗制基板并转入步骤S2；
[0005]S2：在P极半导体层远离本征半导体层的一面贴附重金属层，其中重金属层的金属元素的功函数大于P极半导体层的半导体元素的接触势，扩散温度为1200℃～1250℃，扩散时间12h～14h，该步骤结束后转入步骤S3；
[0006]S3：在N极半导体层远离本征半导体层的一面贴附重金属层，其中重金属层的金属元素的功函数小于N极半导体层的半导体元素的接触势，扩散温度为1200℃～1300℃，扩散时间18h～20h，该步骤结束后转入步骤S4；
[0007]S4：使用纯水冲洗P极半导体层远离本征半导体层的一面，直至废液的电阻率处于400Ω.cm～450Ω.cm，使用纯水冲洗N极半导体层远离本征半导体层的一面，直至废液的电阻率处于500Ω.cm～550Ω.cm，并得到二极管粗制芯片，该步骤结束后转入步骤S5；
[0008]S5：将步骤S4得到的二极管粗制芯片完全浸没在清洗液体中2min～3min后使用纯水冲洗30min以上，清洗液体由95％的纯水与5％的醋酸混合而成，该步骤结束后转入步骤S6；
[0009]S6：将步骤S5得到的二极管芯片毛坯的外部进行抛光处理，二极管芯片毛坯磨掉的厚度在50μm～100μm，并最终得到二极管芯片。
[0010]采用以上技术方案，本专利技术具有制作出高性能的可变阻抗二极管的技术效果，本专利技术设置的步骤S2与步骤S3分别使P极半导体层与N极半导体层得到相对应金属元素的扩散，使P极半导体层微观上的空穴更多，宏观上呈更强的正极性，N极半导体层微观上的电子更多，宏观上呈更强的负极性，最终达到制作出高性能的可变阻抗二极管的效果。
附图说明
[0011]图1为本专利技术实施例一二级管结构示意图；
[0012]图2为本专利技术实施例一制备方法流程图；
[0013]如图所示：
[0014]1‑
电源负极，2
‑
N极金属层，3
‑
本征半导体层，4
‑
P极金属层，5
‑
电源正极，6
‑
P极半导体层，7
‑
N极半导体层。
具体实施方式
[0015]为了更好地解释本专利技术，下面将结合实施例对本专利技术作进一步阐述，需要声明的是，以下内容仅是为了更好地说明本专利技术，并非是限制本专利技术权利要求书的保护范围；
[0016]实施例一
[0017]如图1～2所示，一种重金属快速扩散二极管芯片制备方法，步骤如下：
[0018]S1：在P极半导体层与N极半导体层之间设置本征半导体层，其中P极半导体层嵌压在本征半导体层中，该步骤结束后得到二极管粗制基板并转入步骤S2；
[0019]在步骤S1中P极半导体层可选用Si元素掺杂B元素，N极半导体层可选用Si元素掺杂P元素；
[0020]S2：在P极半导体层远离本征半导体层的一面贴附重金属层，其中重金属层的金属元素的功函数大于P极半导体层的半导体元素的接触势，扩散温度为1200℃～1250℃，扩散时间12h～14h，该步骤结束后转入步骤S3；
[0021]此时重金属元素可选用Au元素；
[0022]S3：在N极半导体层远离本征半导体层的一面贴附重金属层，其中重金属层的金属元素的功函数小于N极半导体层的半导体元素的接触势，扩散温度为1200℃～1300℃，扩散时间18h～20h，该步骤结束后转入步骤S4；
[0023]此时重金属元素可选用Ag元素；
[0024]S4：使用纯水冲洗P极半导体层远离本征半导体层的一面，直至废液的电阻率处于400Ω.cm～450Ω.cm，使用纯水冲洗N极半导体层远离本征半导体层的一面，直至废液的电阻率处于500Ω.cm～550Ω.cm，并得到二极管粗制芯片，该步骤结束后转入步骤S5；
[0025]步骤S4主要用于清洗掉残存的Au元素与Ag元素；
[0026]S5：将步骤S4得到的二极管粗制芯片完全浸没在清洗液体中2min～3min后使用纯水冲洗30min以上，清洗液体由95％的纯水与5％的醋酸混合而成，该步骤结束后转入步骤S6；
[0027]S6：将步骤S5得到的二极管芯片毛坯的外部进行抛光处理，二极管芯片毛坯磨掉的厚度在50μm～100μm，并最终得到二极管芯片；
[0028]在正式使用时，需要使用铜线分别与P极半导体层与N极半导体层连接，并进行必要的封装，即可最终得到可直接用于电路的成品。
[0029]以上即为本专利技术的实施例内容，在未对本专利技术做出任何创造性的改进的前提下，皆属于本专利技术权利要求书保护范围内。
本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种重金属快速扩散二极管芯片制备方法，其特征在于，步骤如下：S1：在P极半导体层与N极半导体层之间设置本征半导体层，其中P极半导体层嵌压在本征半导体层中，该步骤结束后得到二极管粗制基板并转入步骤S2；S2：在P极半导体层远离本征半导体层的一面贴附重金属层，其中重金属层的金属元素的功函数大于P极半导体层的半导体元素的接触势，扩散温度为1200℃～1250℃，扩散时间12h～14h，该步骤结束后转入步骤S3；S3：在N极半导体层远离本征半导体层的一面贴附重金属层，其中重金属层的金属元素的功函数小于N极半导体层的半导体元素的接触势，扩散温度为1200℃～1300℃，扩散时间18h～20h，...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈创，
申请(专利权)人：徐州市创泽优电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：