【技术实现步骤摘要】
量子阱光探测器的制作方法以及量子阱光探测器
[0001]本申请涉及半导体探测器集成领域，具体而言，涉及一种量子阱光探测器的制作方法以及量子阱光探测器。
技术介绍
[0002]传统Ge材料光电可以实现1550nm波长的探测，但是受到Ge材料特性的限制(Ge直接带隙的吸收边在1549nm)，1550nm接近于Ge材料的探测截止波长，Ge材料在1550nm波长的吸收系数较小，难以实现对短波红外的高响应度的探测。低的吸收系数，已不能满足短红外波的高效探测，极大限制了Si基高效红外探测器件的发展。
[0003]因此，亟需一种对短波红外的高响应度的Ge材料光探测器。
[0004]在
技术介绍
部分中公开的以上信息只是用来加强对本文所描述技术的
技术介绍
的理解，因此，
技术介绍
中可能包含某些信息，这些信息对于本领域技术人员来说并未形成在本国已知的现有技术。
技术实现思路
[0005]本申请的主要目的在于提供一种量子阱光探测器的制作方法以及量子阱光探测器，以解决现有技术中Ge材料光探测器对短波红外的响应度低的问题。<...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种量子阱光探测器的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：提供受体基底，所述受体基底包括依次叠置的第一衬底层、第一Ge缓冲层、Ge
x
Si1‑
x
/Ge多量子阱层、P型Ge层以及谐振腔结构，所述Ge
x
Si1‑
x
/Ge多量子阱层包括交替设置的Ge
x
Si1‑
x
层和Ge层，其中，x大于0.75且小于等于1，所述谐振腔结构包括交替设置的硅化物材料层和第一Al2O3层；提供供体基底，所述供体基底包括第二衬底层以及位于所述第二衬底层表面上的第二Al2O3层；键合所述受体基底与所述供体基底，使得所述受体基底的所述第一Al2O3层的表面与所述供体基底的所述第二Al2O3层的表面接触；去除所述第一衬底层；在所述第一Ge缓冲层中注入离子形成N型Ge层。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述谐振腔结构的所述硅化物材料层和所述第一Al2O3层的总层数为4
‑
6层，总厚度为900
‑
1400nm。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述Ge
x
Si1‑
x
/Ge多量子阱层的总层数为6
‑
10层，总厚度为360
‑
600nm。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述受体基底还包括第二Ge缓冲层，所述第二Ge缓冲层位于所述第一Ge缓冲层的远离所述Ge
x
Si1‑
x
/Ge多量子阱层的一侧且与所述第一衬底层表面接触，所述第二Ge缓冲层的生长温度低于所述第一Ge缓冲层的生长温度。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一Ge缓冲层的厚度为550
‑
650nm，所述第一Ge缓冲层的生长温度为750
‑
850℃，所述第二Ge缓冲层的厚度为350
‑
450nm，所述第二Ge缓冲层的生长温度为350
‑
450℃。6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在去除所述第一衬底层之后，在所述第一Ge缓冲层中注入离子形成N型Ge层之前，所述制作方法还包括：去除所述第二Ge缓冲层；去除部分所述第一Ge缓冲层，剩余所述第一Ge缓冲层的厚度为250
‑
350nm。7.根据权利要求1所述的方法，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：亨利，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
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