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双极型功率晶体管,在正方形低掺杂N型硅的集电区上的设有正方形的高掺杂P型硅的基区,基区上设有高掺杂N型硅的反射区,所述反射区由若干排成阵列的圆形小反射区组成,每个所述小反射区的圆心处设有反射区接触孔,由反射极金属化电极条连接至反射极电极;相...该专利属于傲迪特半导体(南京)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过傲迪特半导体(南京)有限公司授权不得商用。
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双极型功率晶体管,在正方形低掺杂N型硅的集电区上的设有正方形的高掺杂P型硅的基区,基区上设有高掺杂N型硅的反射区,所述反射区由若干排成阵列的圆形小反射区组成,每个所述小反射区的圆心处设有反射区接触孔,由反射极金属化电极条连接至反射极电极;相...