【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体器件与工艺制造领域，具体涉及功率双极型晶体管结构及其制备方法。
技术介绍
功率双极型晶体管自从20世纪50年代就开始在商业中获得应用。虽然20世纪70年代功率MOSFET的出现，在一些应用场合取代了功率双极型晶体管，但由于其技术成熟、电流处理能力强等优点，仍在各种中小型电力电子电路作为开关器件广泛使用。功率双极型晶体管的物理特性本质上和普通三极管相似，但为了实现功率双极型晶体管的高集电极电压，引入了高电阻集电区。 二次击穿是功率双极型晶体管在应用中失效的主要原因之一，二次击穿通常是不可恢复的，因此危害性非常大。电流集中造成的热不稳定性是导致二次击穿的机理之一。当双极型晶体管的发射结处于正向偏置时，由于基区存在横向电阻，基极电流流动时产生的基极电阻自偏压效应将迫使发射极电流集中在发射结边缘流动，材料、生产工艺造成的不均匀性也有可能引起发射极电流集中在发射结边缘。电流集中会导致芯片温度升高，由于双极型晶体管电流具有正温度特性，温度的升高又导致电流的进一步集中，形成电流和温度的恶性循环而导致器件烧毁。为了防止发射极电流集边造成的二次击穿，常用的措施...
【技术保护点】
一种功率双极型晶体管，由下到上依次包括：集电区金属电极（1），由第一导电类型半导体材料构成的集电区（2），由第二导电类型半导体材料构成的基区（3）；基区（3）的上方分别具有与基区（3）表面接触的基区金属电极（6）和由第一导电类型半导体材料构成的发射区（4）；发射区（4）的上方具有与发射区（4）表面接触的发射区金属电极（7）；发射区（4）的侧壁与基区金属电极（6）之间，以及基区金属电极（6）与发射区金属电极（7）之间填充隔离介质（5）。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：任敏，李果，宋洵奕，张鹏，王娜，邓光敏，张蒙，李泽宏，张金平，张波，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：
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