【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种基于硅衬底氮化物的HEMT器件及其制备方法，属于信息材料与器件
技术介绍
III族氮化物的高电子迁移率、大击穿电压特性和压电性能，能够满足研制高速、大功率晶体管高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor, HEMT)及压电器件的要求。AlGaN/GaN异质结构导带偏移较大，在异质结界面附近产生很强的自发极化和压电极化，感生出很强的界面电荷和电场，积聚起高浓度的二维电子气。AlGaN/GaN异质结界面的二维电子气强烈依赖于周围环境，环境变化引起的栅极区表面电荷浓度变化，调控二维电子气浓度，引起源漏电流的变化，实现环境的感知。 高质量的硅衬底氮化物晶片日益成熟，逐步走向市场，该材料体系可以和硅工艺结合起来，进行硅衬底剥离，制备悬空AlGaN/GaN HEMT器件。悬空AlGaN/GaN HEMT的二维电子气和压电效应集成结构能够增强传感器的可靠性和灵敏度，利用器件的空间自由度，增强环境变化对二维电子气的影响。利用其化学稳定性好、耐辐射和耐高温的特性，发展具有环境感知的AlGaN/GaN HEMT...
【技术保护点】
一种基于硅衬底氮化物的悬空HEMT器件，实现载体为硅衬底氮化物晶片，其特征在于：所述硅衬底氮化物晶片包括硅衬底层和位于其上部的氮化物器件层；所述硅衬底层包括一个由底部贯穿至氮化物器件层下表面的空腔；所述氮化物器件层的上表面具有AlGaN/GaN？HEMT器件结构，包括源极区域、漏极区域和栅极区域，所述源极区域内设置有源极电极，漏极区域内设置有漏极电极，栅极区域内设置有栅极电极。
【技术特征摘要】
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