随机噪声源制造技术

本发明专利技术涉及一种随机噪声源，其包括半导体超晶格器件以及封装体。其中，半导体超晶格器件由采用InP衬底上的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As材料体系、InP衬底上的InAs/In0.53Ga0.47As/AlAs材料体系、或者GaAs衬底上的GaAs/Al0.45Ga0.55As材料体系的超晶格材料结构通过半导体微加工制作而成。封装体与半导体超晶格器件电性连接以实现随机噪声信号的输出。本发明专利技术利用半导体超晶格器件的固态自发混沌振荡特性，通过合理选择势阱/势垒层材料增强量子限制效应，抑制热激发漏电，可以实现工作在室温环境的高质量、高带宽随机噪声源，带宽达GHz以上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及信号处理和密码
，特别涉及一种随机噪声源。
技术介绍
随机噪声源是随机数产生器的核心。真随机性、高质量、高带宽是高质量噪声源的三个基本要求。首先，高质量的噪声源，要求信号是真随机的。其次，噪声信号的质量要满足随机性的要求，能够通过各种参数测试，如频数、序列、扑克、游程和自相关检验等。最后，在满足真随机性和高质量的前提下，要求噪声源具有尽可能高的带宽。随机噪声源的带宽决定了产生随机数能够达到的速度。半导体超晶格器件是一个理想的多自由度变量非线性混沌振荡系统。这种固态器件的非线性特性与耦合来源于电子通过量子阱(势阱)的共振隧穿，并取决于超晶格的材料体系、结构设计、掺杂浓度和外加偏压等。在特定条件下，超晶格表现出自发混沌振荡特性。利用这种固态自发混沌振荡特性，可以产生高质量、高带宽的随机噪声，带宽可高达GHz以上。然而，一般的超晶格均工作在低温环境。为了提高系统的环境适应性，降低环境对其的干扰，扩大其使用范围，实现室温工作的半导体超晶格固态随机噪声源很有必要。
技术实现思路
本专利技术提供一种能够工作在室温环境下的高质量、高带宽的随机噪声源，实现带宽GHz以上的平坦宽带混本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种随机噪声源，其特征在于，包括：半导体超晶格器件，由采用InP衬底上的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As材料体系、InP衬底上的InAs/In0.53Ga0.47As/AlAs材料体系、或者GaAs衬底上的GaAs/Al0.45Ga0.55As材料体系的超晶格材料结构通过半导体微加工制作而成；以及封装体，与该半导体超晶格器件电性连接以实现随机噪声信号的输出。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：李文，黄寓洋，殷志珍，张耀辉，
申请(专利权)人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，
类型：发明
国别省市：