【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及ー种锗硅三极管基区硬掩蔽膜层结构。本专利技术还涉及ー种锗硅三极管基区硬掩蔽膜层结构的制作方法。
技术介绍
如图I所示，在半导体Bi-polar (双极)或Bi-CMOS (双极CMOS)エ艺中，为了提高器件的频率和速度特性，会引入锗硅(SiGe，即在硅中掺锗)エ艺来制造三极管的基区(Base)。由于锗硅薄膜层中应变能的存在，使得外延生长的锗硅薄膜层表面变得非常粗糙，而锗硅薄膜层的这种粗糙表面造成的光的漫反射会严重影响后续的光刻エ艺，使光刻胶的形貌变差，使基区多晶(Base poly)的尺寸变得难以控制不利于关键尺寸的小型化。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种锗硅三极管基区硬掩蔽膜层结构，減少锗硅薄膜层漫反射光线对光刻胶形貌的影响，提高生产中对关键尺寸的控制能力，获得更小尺寸的光刻图形。为此，本专利技术还提供一种锗硅三极管基区硬掩蔽膜层结构的制作方法。为解决上述技术问题，本专利技术的锗硅三极管基区硬掩蔽膜层结构，包括ー硅片，其上方具有集电区和场隔离区，在集电区和场隔离区上方生长有多晶硅层和锗硅薄膜层，...
【技术保护点】
一种锗硅三极管基区硬掩蔽膜层结构，其特征是，包括：一硅片，其上方具有集电区和场隔离区，在集电区和场隔离区上方生长有多晶硅层和锗硅薄膜层，其中部分锗硅薄膜层生长在多晶硅层上方，锗硅薄膜层的上方生长有一无机抗反射材料层，无机抗反射材料层上方生长有第二硬掩蔽膜层。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭晓波，孟鸿林，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。