通过Ge凝结进行的硅锗FinFET形成制造技术

形成FinFET器件的半导体鳍的方法包括在半导体鳍上共形沉积硅锗(SiGe)非晶或多晶薄膜。该方法还包括氧化该非晶或多晶薄膜，以将锗从该非晶或多晶薄膜扩散到该半导体鳍中。此类方法进一步包括去除非晶或多晶薄膜的氧化部分。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】201480071666

【技术保护点】
一种形成FinFET器件的半导体鳍的方法，包括：在所述半导体鳍上共形沉积硅锗(SiGe)非晶或多晶薄膜；氧化所述非晶或多晶薄膜，以将锗从所述非晶或多晶薄膜扩散到所述半导体鳍中；以及去除所述非晶或多晶薄膜的氧化部分。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.01.03 US 61/923,489;2014.05.05 US 14/269,9811.一种形成FinFET器件的半导体鳍的方法，包括：在所述半导体鳍上共形沉积硅锗(SiGe)非晶或多晶薄膜；氧化所述非晶或多晶薄膜，以将锗从所述非晶或多晶薄膜扩散到所述半导体鳍中；以及去除所述非晶或多晶薄膜的氧化部分。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体鳍中的压缩应变大于支持所述半导体鳍的基板中的压缩应变。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述半导体鳍具有基本上与所述基板的表面相同的晶向。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，氧化所述非晶或多晶薄膜之前的所述半导体鳍的所述晶向和氧化所述非晶或多晶薄膜之后的所述半导体鳍的晶向相同。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体鳍是基本上单一的晶体。6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述共形沉积包括多个不同材料的表面上的非选择性沉积。7.如权利要求6所述的方法，进一步包括蚀刻所述薄膜以在所述半导体鳍上提供SiGe分隔件。8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述蚀刻是各向异性的。9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述共形沉积包括所述半导体鳍的表面上的选择性沉积。10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体鳍包括硅锗或硅。11.如权利要求1所述的方法，进一步包括将锗扩散到支持所述半导体鳍的基板的表面中以提供所述半导体鳍和所述基板之间的界面。12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述FinFET器件被集成到移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、计算机、手持式个人通信系统(PCS)单元、便携式数据单元、和/或位置固定的数据单元中。13.一种基板上的鳍式场效应晶体管(FinFET)器件，包括：半导体鳍，包括共形沉积的非晶或多晶硅锗(SiGe)薄膜，其中来自所述非晶或多晶薄膜的锗被扩散到所述半导体鳍中。14.如权利要求13所述的FinFET器件，其特征在于，所述半导体鳍中的压缩应变大于支持所述半导体鳍的所述基板中的压缩应变。15.如权利要求14所述的FinFET器件，其特征在于，所述半导体鳍具...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·J·徐，V·马赫卡奥特桑，K·利姆，S·S·宋，C·F·耶普，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US