【技术实现步骤摘要】
本专利技术专利申请是国际申请号为PCT/US2011/062059、国际申请日为2011年11月23日、进入中国国家阶段的申请号为201180058034.0、名称为“硅和硅锗纳米线结构”的专利技术专利申请的分案申请。背景随着微电子器件尺寸攀升过15nm的节点,保持迁移率改善和短沟道控制对器件制造提出了挑战。用于制造器件的纳米线提供改善的短沟道控制。例如,硅锗(SixGe1-x)纳米线沟道结构(其中x<0.5)提供在可观的Eg下的迁移率改善,这适用于利用较高电压操作的许多传统产品。此外,硅锗(SixGe1-x)纳米线沟道(其中x>0.5)在较低Eg下提供改善的迁移率(适用于例如移动/手持领域内的低电压产品)。附图简述尽管说明书以特别指出和独立地要求某些实施例的权利要求书作为结尾,但各实施例的优势可从下面结合附图对实施例的描述中得到更好的理解,在附图中:图1a-1n示出根据各实施例形成结构的方法。图2a-2i示出根据各实施例形成结构的方法。图3a-3g示出根据各实施例形成结构的方法。图4a-4m示出根据各实施例形成结构的方法。图5a-5d示出根据各实施例形成结构的方法。图6示出根据各实施例的系统。详细描述在对本专利技术实施例的如下详细描述中,对示出可投入实践的特定实施例的附图作出参照。充分详细地描述这些实施例,以使本领域技术人员将这些实施例投入实践。要理解,各实施例尽管是不同的,但不一定是相互排斥的。例如,这里结合一个实施例描述的特定特征、结构或特性可在其它实施例中实现而不脱离它们的精神和范围。另外要理解,可修正各公开实施例中的各个要素的位置或配置而不脱离它们 ...
【技术保护点】
一种形成纳米线器件的方法,包括:在衬底上形成外延硅锗上外延硅的交替层;通过蚀刻所述交替层形成鳍结构并在所述鳍结构附近形成沟槽;在所述鳍结构上形成鳍间隔物;执行第二沟槽蚀刻以使所述鳍结构的底部鳍区露出;使所述底部鳍区氧化;横跨和在所述鳍结构上形成间隔物;从所述衬底上的源极/漏极区去除所述鳍结构的一部分,然后在所述源极/漏极区上形成源极/漏极结构,其中所述源极/漏极区位于所述间隔物附近;以及从位于所述间隔物之间的所述鳍结构中去除所述硅层。
【技术特征摘要】
2010.12.01 US 12/958,1791.一种形成纳米线器件的方法,包括:在衬底上形成外延硅锗上外延硅的交替层;通过蚀刻所述交替层形成鳍结构并在所述鳍结构附近形成沟槽;在所述鳍结构上形成鳍间隔物;执行第二沟槽蚀刻以使所述鳍结构的底部鳍区露出;使所述底部鳍区氧化;横跨和在所述鳍结构上形成间隔物;从所述衬底上的源极/漏极区去除所述鳍结构的一部分,然后在所述源极/漏极区上形成源极/漏极结构,其中所述源极/漏极区位于所述间隔物附近;以及从位于所述间隔物之间的所述鳍结构中去除所述硅层。2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,将底部纳米线设置在所述经氧化的底部鳍区上。3.一种形成纳米线器件的方法,包括:在衬底上形成外延硅锗上外延硅的交替层;通过蚀刻所述交替层形成鳍结构并在所述鳍结构附近形成沟槽;在所述沟槽中形成氧化物;在所述鳍结构上形成鳍间隔物;使所述底部鳍区氧化;横跨和在所述鳍结构上形成间隔物;从所述衬底上的源极/漏极区去除所述鳍结构的一部分,并随后在所述源极/漏极区上形成源极/漏极结构,其中所述源极/漏极区位于所述间隔物附近;以及从位于所述间隔物之间的所述鳍结构中去除所述外延硅层。4.如权利要求3所述的方法,其特征在于,将底部纳米线设置在所述经氧化的底部鳍区上。5.一种形成纳米线器件的方法,包括:在衬底上形成外延氧化物材料上外延半导体材料的交替层;通过蚀刻所述交替层形成鳍结构;横跨和在所述鳍结构上形成间隔物;从所述衬底上的源极/漏极区去除所述鳍结构的一部分,然后在所述源极/漏极区上形成源极/漏极结构,其中所述源极/漏极区位于所述间隔物附近;以及从位于所述间隔物之间的所述鳍结构中去除所述外延氧化物材料的一部分。6.如权利要求5所述的方法,其特征在于,底部半导体材料纳米线被设置在所述外延氧化物材料上。7.如权利要求5所述的方法,其特征在于,所述外延氧化物完全从所述鳍结构中被去除。8.如权利要求5所述的方法,其特征在于,所述外延氧化物部分地从所述鳍结构中被去除。9.一种形成纳米线器件的方法,包括:在衬底上形成外延硅锗材料上外延硅材料的交替层;通过蚀刻所述交替层形成鳍结构并在所述鳍结构附近形成沟槽;横跨和在所述鳍结构上形成间隔物;从所述衬底上的源极/漏极区去除所述鳍结构的一部分;用第二间隔物填充所述间隔物靠近所述鳍结构的间隙;在所述源极/漏极区上形成源极/漏极结构,其中所述源极/漏极区位于所述间隔物附近;从位于所述间隔物之间的鳍结构去除所述硅层和所述外延硅锗层中的一者。10.如权利要求9所述的方法,其特征在于,所述第二间隔物材料包括间隔物类材料和低k材料中的至少一者。11.如权利要求9所述的方法,其特征在于,所述间隔物中的间隙在所述间隔物的源极/漏极侧上被填充。12.如权利要求9所述的方法,其特征在于,所述间隔物中的间隙在所述间隔物的栅极侧上被填充。13.一种形成纳米线器件的方法,包括:在(100)衬底上形成外延硅锗材料上外延硅材料的交替层,所述衬底包含<111>沟道;通过蚀刻所述交替层形成鳍结构并在所述鳍结构附近形成沟槽;横跨和在所述鳍结构上形成间隔物;从所述衬底上的源极/漏极区去除所述鳍结构的一部分,并随后在所述源极/漏极区上...
【专利技术属性】
技术研发人员:K·J·库恩,S·金,R·里奥斯,S·M·赛亚,M·D·贾尔斯,A·卡佩尔拉尼,T·拉克什特,P·常,W·瑞驰梅迪,
申请(专利权)人:英特尔公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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