【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种锗硅薄膜监控片的制备方法。本专利技术还涉及一种采用该片进行监控的方法。
技术介绍
硅是目前大规模生产的半导体器件最主要的材料之一，它具有原材料制备简便，自然界含量丰富，具有半导体特性等基本特性而被用于制备半导体器件。但是对于高频高速应用，硅的禁带宽度较宽，载流子的迁移速度受到制约，因此人们通常引入一些其它元素形成硅的合金来减低禁带宽度，提高载流子的迁移速度。锗就是其中最重要材料之一。锗具有和硅类似的晶体结构，与硅形成合金工艺容易实现且匹配性·高，同时锗的引入可以有效地降低禁带宽度，实现高速器件的应用，同时锗硅的合金器件很容易和常规的硅器件进行工艺整合，因此锗硅器件是很常用的一种应用于高速和高频通信的器件。同时锗硅为本征半导体，为了实际器件应用，还会进行掺杂形成η型导电或P型导电。另外为了调整薄膜的应力，还会掺杂中性粒子如碳原子。工艺上锗硅主要通过外延生长实现，其主要的表征参数有厚度，元素含量，元素分布等。他们直接决定了锗硅材料的禁带宽度，掺杂浓度，应力等，都是非常重要的工艺参数。对于锗硅中各元素含量的测量，通常有两类方法，一种是通过各种射线或粒...
【技术保护点】
一种锗硅薄膜监控片的制备方法，其特征在于，包括：步骤一，将一组具有尺寸变化的测量图形，形成在光刻掩膜版中；步骤二，在衬底上淀积锗硅薄膜；步骤三，在所述衬底上涂光刻胶，并用步骤一中所述的光刻掩膜版进行曝光，显影后在所述锗硅薄膜上形成测量图形，即为锗硅薄膜监控片。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王雷，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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