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本发明公开了一种锗硅薄膜监控片的制备方法，包括：步骤一，将一组具有尺寸变化的测量图形，形成在光刻掩膜版中；步骤二，在衬底上淀积锗硅薄膜；步骤三，在所述衬底上涂光刻胶，并用步骤一中所述的光刻掩膜版进行曝光，显影后在所述锗硅薄膜上形成测量图形，...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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