硅和硅锗纳米线结构制造技术
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】硅和硅锗纳米线结构背景随着微电子器件尺寸攀升过15nm的节点，保持迁移率改善和短沟道控制对器件制造提出了挑战。用于制造器件的纳米线提供改善的短沟道控制。例如，硅锗(SixGe1-x)纳米线沟道结构(其中x＜0.5)提供在可观的Eg下的迁移率改善，这适用于利用较高电压操作的许多传统产品。此外，硅锗(SixGe1-x)纳米线沟道(其中x＞0.5)在较低Eg下提供改善的迁移率(适用于例如移动/手持领域内的低电压产品)。附图简述尽管说明书以特别指出和独立地要求某些实施例的权利要求书作为结尾，但各实施例的优势可从下面结合附图对实施例的描述中得到更好的理解，在附图中：图1a-1n示出根据各实施例形成结构的方法。图2a-2i示出根据各实施例形成结构的方法。图3a-3g示出根据各实施例形成结构的方法。图4a-4m示出根据各实施例形成结构的方法。图5a-5d示出根据各实施例形成结构的方法。图6示出根据各实施例的系统。详细描述在对本专利技术实施例的如下详细描述中，对示出可投入实践的特定实施例的附图作出参照。充分详细地描述这些实施例，以使本领域技术人员将这些实施例投入实践。要理解，各实施...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.12.01 US 12/958,1791.一种形成器件的方法，包括：在衬底上形成外延硅锗；在所述外延硅锗上形成外延硅；对布置在所述外延硅锗上的外延硅布图以形成鳍结构，所述布图包括蚀刻所述外延硅和所述外延硅锗；在所述鳍结构上形成牺牲栅电极；在所述牺牲栅电极的侧壁附近和在所述鳍结构上形成间隔物；从所述衬底上的源极/漏极区去除所述鳍结构的一部分，然后在所述源极/漏极区上形成源极/漏极结构，其中所述源极/漏极区位于所述间隔物附近；从所述间隔物之间去除所述牺牲栅电极；以及从位于所述间隔物之间的鳍结构去除所述外延硅和外延硅锗中的一者。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述结构包括栅完全包围纳米线器件的一部分。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在外延硅上形成外延硅锗的附加交替层。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，从所述鳍结构去除所述外延硅以形成通过间隙彼此隔开的硅锗纳米线结构。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，从所述鳍结构去除所述硅锗以形成通过间隙彼此隔开的硅纳米线结构。6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，栅极电介质被形成在所述硅锗纳米线结构的所有侧周围。7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，栅极电介质被形成在所述硅纳米线结构的所有侧周围。8.如权利要求6所述的方法，其特征在于，栅电极材料被形成在所述硅锗纳米线结构周围。9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，栅电极材料被形成在所述硅纳米线结构周围。10.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述栅电极材料被形成在所述硅锗纳米线结构周围。11.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述栅电极材料包括金属。12.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述栅电极材料包括金属。13.如权利要求9所述的方法，其特征在于，沟槽触头耦合至所述源极/漏极结构，并且所述源极/漏极结构包括n+掺杂的硅。14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，硅外延尖端被布置在所述源极/漏极结构和所述衬底之间。15.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述器件包括NMOS栅完全包围沟道器件的一部分。16.如权利要求9所述的方法，其特征在于，沟槽触头耦合至所述源极/漏极结构，所述源极/漏极结构包括p+硅锗。17.如权利要求16所述的方法，其特征在于，硅外延尖端被布置在所述源极/漏极结构和所述衬底之间。18.如权利要求17所述的方法，其特征在于，所述器件包括PMOS栅完全包围沟道器件的一部分，并且所述硅纳米线包括应变的硅纳米线。19.一种形成纳米线器件的方法，包括：在SOI衬底上形成外延硅锗上外延硅的交替层；对所述交替层布图以形成鳍结构，所述布图包括蚀刻所述外延硅锗上外延硅的交替层；在所述鳍结构上形成牺牲栅电极；在所述牺牲栅电极的侧壁附近和在所述鳍结构上形成间隔物；从所述衬底上的源极/漏极区去除所述鳍结构的一部分，然后在所述源极/漏极区上形成源极/漏极结构，其中所述源极/漏极区位于所述间隔物附近；从所述间隔物之间去除所述牺牲栅电极；以及从位于所述间隔物之间的鳍结构去除所述外延硅和所述外延硅锗中的一者。20.如权利要求19所述的方法，其特征在于，所述鳍结构的底部纳米线几何形状是通过控制对所述SOI衬底的底部氧化物部分的蚀刻来限定的。21.如权利要求20所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：K·J·库恩，S·金，R·里奥斯，S·M·赛亚，M·D·贾尔斯，A·卡佩尔拉尼，T·拉克什特，P·常，W·瑞驰梅迪，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：
国别省市：
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