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本发明公开了一种锗硅三极管基区硬掩蔽膜层结构，包括：一硅片，其上方具有集电区和场隔离区，在集电区和场隔离区上方生长有多晶硅层和锗硅薄膜层，其中部分锗硅薄膜层生长在多晶硅层上方，锗硅薄膜层的上方生长有一层无机抗反射材料层和至少一层硬掩蔽膜层。...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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