横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管制造技术

提出了一种具有凹陷的源电极接触的横向DMOS及形成横向DMOS的方法。根据本实用新型专利技术实施例的横向DMOS包括凹陷的源电极接触，其中该凹陷的源电极接触包括凹陷部分，所述凹陷部分纵向延伸穿过横向DMOS的源区并与其体区接触，并且所述凹陷部分与所述源区和所述体区电气耦接。根据本实用新型专利技术实施例的横向DMOS不仅具有较小的尺寸而且生产成本相对低。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术的实施例涉及半导体器件，尤其涉及横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管。技术背景横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(LDMOS)广泛应用于各种集成电源管理电路中。通常，LDMOS在这些电源管理电路中作为功率晶体管不断地响应于控制信号而进行导通和关断的切換以实现功率转换。图IA示出了ー种LDMOS 100的纵向剖面示意图。如图IA所示，该LDMOS 100可以形成于P型半导体衬底101上。该LDMOS 100可以包括形成于半导体衬底101上中的N型漂移区102，形成于该N型漂移区102中的P型体区103，形成于该P型体区103中的源区104，形成于N型漂移区102中的漏区105，形成于源区104和漏区105之间的那部分N型漂移区之上的栅区106，以及分别与源区104、漏区105和栅区106分别耦接的源电极接触109、漏电极接触110和栅电极接触(图IA中未示出)。源区104可以包括重掺杂的N型区(图IA中用N+区表示)，漏区105也可以包括重掺杂的N型区(图IA中用N+区表示)。栅区106可以包括多晶硅层106a以及包裹多晶硅层106a的隔离层106b。栅区106可以覆本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：半导体层，具有第一导电类型；体区，位于所述半导体层中，具有与该第一导电类型相反的第二导电类型，并且具有第一掺杂浓度；源区，具有所述的第一导电类型，该源区形成于所述体区中；漏区，具有所述的第一导电类型，该漏区形成于所述半导体层中，与所述源区相分离；栅区，位于所述半导体层的位于所述源区和所述漏区之间的部分上；以及凹陷的源电极接触，包括凹陷部分，所述凹陷部分纵向延伸穿过所述源区并与所述体区接触，并且所述凹陷部分与所述源区和所述体区电气耦接。

【技术特征摘要】
2011.08.18 US 13/213,0111.一种半导体器件，包括 半导体层，具有第一导电类型； 体区，位于所述半导体层中，具有与该第一导电类型相反的第二导电类型，并且具有第一惨杂浓度； 源区，具有所述的第一导电类型，该源区形成于所述体区中； 漏区，具有所述的第一导电类型，该漏区形成于所述半导体层中，与所述源区相分离； 栅区，位于所述半导体层的位于所述源区和所述漏区之间的部分上；以及 凹陷的源电极接触，包括凹陷部分，所述凹陷部分纵向延伸穿过所述源区并与所述体区接触，并且所述凹陷部分与所述源区和所述体区电气耦接。2.如权利要求I所述的半导体器件，其特征在于进一歩包括 第一体接触区，位于所述凹陷的源电极接触下方并与所述凹陷的源电极接触相接触，该第一体接触区具有所述的第一导电类型并且具有第二掺杂浓度，其中所述的第二掺杂浓度高于所述的第一掺杂浓度。3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于进一歩包括 第二体接触区，包络所述第一体接触区并与所述第一体接触区相接触，该第二体接触区具有所述的第一导电类型并且具有第三掺杂浓度，其中所述第三掺杂浓度高于所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐纳徳R迪斯尼，
申请(专利权)人：成都芯源系统有限公司，
类型：实用新型
国别省市：