一种分裂栅型沟槽功率MOS器件制造技术

本实用新型专利技术涉及MOS器件版图边缘设计领域，具体涉及一种应用在低、中压器件中沟槽结构同终端结构连通的分裂栅型沟槽功率MOS器件。本实用新型专利技术的分裂栅型沟槽功率MOS器件，有源区中沟槽结构同终端结构连通，有源区中的台面是两端为半圆形的长条结构，半圆形的直径同台面宽度相同。本实用新型专利技术中分裂栅沟槽功率MOS器件为沟槽包围台面结构，这样可以保证器件的有源区台面结构一致，优化器件内台面结构中的电场分布，从而整体上提高分裂栅型沟槽功率MOS器件的击穿电压。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

一种分裂栅型沟槽功率MOS器件
本技术涉及MOS器件版图边缘设计领域，具体涉及一种应用在低、中压器件中沟槽结构同终端结构连通的分裂栅型沟槽功率MOS器件。
技术介绍
在20世纪九十年代，功率沟槽MOS场效应晶体管(Power Trench MOSFET)的发展和工业化技术的主要研究方向，主要在最小化低压功率器件的正向导通电阻(Ron)。今天， 功率沟槽MOS器件的结构已经适用于大多数功率MOSFET的应用中，并且器件的特性不断地接近硅材料的一维限制(表述了器件漂移区特征导通电阻和关断态时击穿电压的理论关系)。降低表面电场REduced SURface Field(RESURF)技术的提出，可以令击穿电压为600V 的功率沟槽MOS器件超过硅材料的一维限制。接着依据RESURF的工作原理，又出现分裂栅型沟槽(Split-Gate Trench) MOSFET器件结构,可以在等比例缩小的30V左右的低压下超过硅材料的一维限制。因此，分裂栅型沟槽MOS器件在低、中压(2(T200V)范围内，拥有较低的正向导通电阻，占有明显的优势。但是，当前的分裂栅型沟槽MOSFET器件版图中的边缘本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种分裂栅型沟槽功率MOS器件，其特征在于：有源区中沟槽结构同终端结构连通，有源区中的台面是两端为半圆形的长条结构，半圆形的直径同台面宽度相同。

【技术特征摘要】
1.一种分裂栅型沟槽功率MOS器件，其特征在于有源区中沟槽结构同终端结构连通，有源区中的台面是两端为半圆形的长条结构，半圆形的直径同台面宽度相同。2.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：王颖，胡海帆，焦文利，
申请(专利权)人：哈尔滨工程大学，
类型：实用新型
国别省市：