具有槽型结构的应变PMOSFET及其制作方法技术

本发明专利技术涉及半导体技术。本发明专利技术解决了现有应变PMOSFET采用DSL技术提升性能时相关工艺复杂的问题，提供了一种具有槽型结构的应变PMOSFET及其制作方法，其技术方案可概括为：具有槽型结构的应变PMOSFET，包括源极、漏极、源区、漏区、栅氧化层、栅极、两个轻掺杂漏区、两个侧墙及半导体衬底，其特征在于，还包括分别设置在源区与漏区外延的两个槽型结构，所述槽型结构、源区、漏区、栅极及侧墙的上表面覆盖有一层张应变刻蚀阻挡层。本发明专利技术的有益效果是，制作工艺得到了简化，适用于应变PMOSFET。

【技术实现步骤摘要】
具有槽型结构的应变PMOSFET及其制作方法
本专利技术涉及半导体技术，特别涉及应变P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)。
技术介绍
自GordonMoore于1965年提出摩尔定律以来，通过等比例缩小来提高硅基MOS(场效应管)器件性能的方法受到越来越多物理、工艺的限制，应变硅(StrainedSilicon，SSi)技术通过“调节”硅能带来提升载流子迁移率，从而提升器件的输出电流，进而提高电路的工作速度而备受关注，并已获得广泛的应用。现有的应变PMOSFET器件剖视图如图1所示，包括源极、漏极、源区9、漏区10、栅氧化层6、栅极7、两个LDD区(轻掺杂漏区)12、两个浅槽隔离区13、两个侧墙8、压应变刻蚀阻挡层11及半导体衬底1，所述源区9与一个LDD区12并列设置在半导体衬底1上表面靠近源极位置，漏区10与另一个LDD区12并列设置在半导体衬底1上表面靠近漏极位置，两个LDD区12之间的半导体衬底1上表面设置有栅氧化层6，栅极7设置在栅氧化层6上方，栅极7靠近源极和漏极的两侧各设置有一个侧墙8，侧墙8下表面与LDD区12上表面相接触，两个浅槽隔离区13分别设置在本文档来自技高网...

【技术保护点】
具有槽型结构的应变PMOSFET，包括源极、漏极、源区、漏区、栅氧化层、栅极、两个轻掺杂漏区、两个侧墙及半导体衬底，其特征在于，还包括分别设置在源区与漏区外延的两个槽型结构，所述槽型结构、源区、漏区、栅极及侧墙的上表面覆盖有一层张应变刻蚀阻挡层。

【技术特征摘要】
1.具有槽型结构的应变PMOSFET，包括源极、漏极、源区、漏区、栅氧化层、栅极、两个轻掺杂漏区、两个侧墙及半导体衬底，其特征在于，还包括分别设置在源区与漏区外侧的两个槽型结构，所述槽型结构、源区、漏区、栅极及侧墙的上表面覆盖有一层张应变刻蚀阻挡层，利用张应变刻蚀阻挡层和槽型结构能够使张应变刻蚀阻挡层在沟道区域引入压应力。2.根据权利要求1所述具有槽型结构的应变PMOSFET，其特征在于，所述槽型结构的上表面到下表面的垂直距离至少为0.4μm。3.根据权利要求1所述具有槽型结构的应变PMOSFET，其特征在于，所述槽型结构为矩形。4.根据权利要求1所述具有槽型结构的应变PMOSFET，其特征在于，所述槽型结构为梯形或阶梯形，所述梯形或阶梯形的长边位于槽型结构的上表面。5.根据权利要求1或2或3或4所述具有槽型结构的应变PMOSFET，其特征在于，所述张应变刻蚀阻挡层的厚度为10nm到600nm之间。6.具有槽型结构的应变PMOSFET的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、对半导体衬底进行N型掺杂；步骤2、在半导体衬底上淀积一层氧化层；步骤3、在氧化层上方淀积氮化物；步骤4、...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗谦，刘斌，曾庆平，严慧，甘程，于奇，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：