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本发明涉及半导体技术。本发明解决了现有应变PMOSFET采用DSL技术提升性能时相关工艺复杂的问题，提供了一种具有槽型结构的应变PMOSFET及其制作方法，其技术方案可概括为：具有槽型结构的应变PMOSFET，包括源极、漏极、源区、漏区、栅...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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