【技术实现步骤摘要】
一种多栅极高压场效应晶体管方法
本专利技术涉及半导体领域，特别涉及一种多栅极高压场效应晶体管。
技术介绍
高压场效应晶体管被广泛用作功率开关。在很多功率开关应用中，导通电阻是其重要的指标，减小导通电阻有助于减小开关导通时的导通功率损耗。功率开关的导通功率损耗为I 2. R ，其中Iw为功率开关的导通电流，Ron为功率开关的导通电阻。可见，导通电阻越小，导通功率损耗越小。现有技术中，通过并联更多场效应晶体管单元，增加等效宽度， 以减小导通电阻，但这样会增加芯片面积，从而增加芯片成本。请参考图I所示，其为现有技术中高压场效应晶体管的结构示意图。该高压场效应晶体管为高压NMOS (N-Type Mental-Oxide-Semiconductor)晶体管,其包括深N讲DN、 自深N阱DN上表面向下延伸至深N阱DN内的P阱PW、自P阱PW上表面向下延伸至P阱 PW内的第一 N+有源区、自P阱PW上表面向下延伸至P阱PW内的P+有源区、自深N阱DN 上表面向下延伸至深N阱DN内的第二 N+有源区，P阱PW与第二 N+有源区相互间隔，第一 N+有源区位于P+有源区和第二 N+...
【技术保护点】
一种高压场效应晶体管，其特征在于，其包括衬体区、自衬体区上表面向下延伸至所述衬体区内的衬体接触、自衬体区上表面向下延伸至所述衬体区内的源极、与衬体区相互间隔的漏极，以及位于漏极和衬体区之间的漂移区，所述源极位于所述衬体接触和所述漏极之间，其特征在于，所述高压场效应晶体管还包括位于源极和漏极之间且位于漂移区和衬体区上方的复数个栅氧层以及位于对应栅极层上的复数个栅极。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王钊，
申请(专利权)人：无锡中星微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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