半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括第一掺杂区、第二掺杂区、介电结构与栅极结构。第一掺杂区具有第一导电型。第二掺杂区具有相反于第一导电型的第二导电型并邻近第一掺杂区。介电结构包括互相分开的第一介电部分与第二介电部分。介电结构形成于第一掺杂区上。栅极结构位于第一掺杂区或第二掺杂区邻近第一介电部分的一部分上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种，特别是有关于一种晶体管及其制造方法。
技术介绍
在半导体技术中，举例来说，半导体装置例如功率装置是使用横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)。为了提高半导体装置的崩溃电压(breakdown voltage,BVdss),—种方法是降低漏极区的掺杂浓度并增加漂移长度。然而，此方法会提高半导体装置的开启电阻。此外，需要大的设计面积。半导体技术中的绝缘栅双极性晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistors,IGBT)同时具有晶体管(MOS)与双极结晶体管(bipolar junction transistor,BJT)的优·点。绝缘栅双极性晶体管可使用于开关应用中。
技术实现思路
本专利技术是有关于。半导体装置具有优异的效能，且制造成本低。依据本专利技术的一个实施例，本专利技术提供了一种半导体装置，该半导体装置包括第一掺杂区、第二掺杂区、介电结构与栅极结构。第一掺杂区具有第一导电型。第二掺杂区具有相反于第一导电型的第二导电型并邻近第一掺杂区。介电结构包括互相分开的第一介电部分与第二介电部分。介电结构形成于第一掺杂区上。栅极结构位于第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，包括：一第一掺杂区，具有一第一导电型；一第二掺杂区，具有相反于该第一导电型的一第二导电型并邻近该第一掺杂区；一介电结构，包括互相分开的一第一介电部分与一第二介电部分，其中该介电结构形成于该第一掺杂区上；以及一栅极结构，位于该第一掺杂区或该第二掺杂区邻近该第一介电部分的一部分上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：朱建文，陈永初，吴锡垣，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：