一种超结功率器件终端结构制造技术

一种超结功率器件的终端结构，属于半导体功率器件技术领域。包括器件元胞和器件终端；器件元胞漂移区由交替相间的P柱区和N柱区构成超结结构；器件终端包括过渡终端区和耐压终端区；所述过渡终端区处于器件元胞和耐压终端区之间；过渡终端区具有与元胞相同的超结结构，耐压终端区的超结结构中P柱区和N柱区的掺杂浓度小于器件元胞的超结结构中P柱区和N柱区的掺杂浓度。本发明专利技术实际是元胞和终端采用不同的漂移区掺杂浓度。元胞区采用高掺杂漂移区获得低比导通电阻，终端区适当采用较低的掺杂浓度获得高耐压。采用该结构能够在和常规超结终端结构面积相同的情况下获得更高的耐压，或者在相同耐压的情况下具有比常规超结结构更小的面积。

【技术实现步骤摘要】

一种超结功率器件终端结构，属于半导体功率器件

技术介绍
超结MOSFET是近年来出现的一种重要的功率器件，它的基本原理是电荷平衡原理，通过在普通功率MOSFET的漂移区中弓丨入超结结构，大大改善了普通MOSFET的导通电阻与击穿电压之间的折中关系，因而在功率系统中获得了广泛的应用。基本的超结结构为交替相间的P柱和n柱，并且p、n柱严格满足电荷平衡条件。在反向偏压下，由于横向电场和纵向电场的相互作用，P柱区和n柱区将完全耗尽，耗尽区内纵向电场分布趋于均匀，因而理论上击穿电压仅仅依赖于耐压层的厚度，与掺杂浓度无关，因为耐压层掺杂浓度可以提高将近一个数量级，从而有效地降低了器件的导通电阻。 功率器件设计要考虑的一个重要问题是结终端结构的设计，好的结终端能有效提高器件耐压、降低漏电和提高器件可靠性。传统结构的终端技术中，为了使主结弯曲处的电场集中效应被削弱，通常采用了场限环、场板等技术提高击穿电压。由于超结器件特殊的元胞结构，漂移区的浓度较高，漂移区的厚度较小，普通的高压功率器件的终端结构不再适合超结器件。目前应用最广泛的超结结构如附图2所示，将超结器件的终端结构分成两部分过渡区本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种超结功率器件的终端结构，包括器件元胞（Ⅰ）和器件终端；所述器件元胞（Ⅰ）的漂移区由交替相间的P柱区半导体和N柱区半导体构成超结结构；其特征在于，所述器件终端包括两个部分：过渡终端区（Ⅱ）和耐压终端区（Ⅲ）；所述过渡终端区（Ⅱ）处于器件元胞（Ⅰ）和耐压终端区（Ⅲ）之间，过渡终端区（Ⅱ）的宽度尺寸小于耐压终端区（Ⅲ）的宽度尺寸；过渡终端区（Ⅱ）由交替相间的P柱区半导体和N柱区半导体构成超结结构，且过渡终端区（Ⅱ）的超结结构中P柱区半导体和N柱区半导体的掺杂浓度与器件元胞（Ⅰ）的超结结构中P柱区半导体和N柱区半导体的掺杂浓度相同；耐压终端区（Ⅲ）同样由交替相间的P柱区半导体和N柱区半导体构成超结...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：任敏，李果，宋询奕，张鹏，王娜，邓光敏，夏小军，张蒙，李泽宏，张金平，张波，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：