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本发明提供一种高压场效应晶体管，其包括衬体区、自衬体区上表面向下延伸至所述衬体区内的衬体接触、自衬体区上表面向下延伸至所述衬体区内的源极、与衬体区相互间隔的漏极，以及位于漏极和衬体区之间的漂移区，所述源极位于所述衬体接触和所述漏极之间。所述...
该专利属于无锡中星微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡中星微电子有限公司授权不得商用。

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