【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体
，更具体地，涉及一种控制沟道厚度的FinFET设计。技术背景晶体管是现代集成电路的主要组成部分。为了满足速度日益增快的要求，需要日益增大晶体管的驱动电流。由于晶体管的驱动电流与晶体管的栅极宽度成比例，因此越大栅极宽度的晶体管越受欢迎。然而，栅极宽度的增大与半导体器件尺寸的降低相冲突。因而开发了鳍式场效应电晶体管(FinFET )。引入FinFET具有不占用更多的芯片面积而提高驱动电流的优势特点。然而，即使与占用相同芯片面积的平面型晶体管相比FinFET改善了短沟道效应(SCE)，FinFET依然存在SCE问题。为了有助于控制FinFET中的SCE,FinFET的鳍宽通常是狭窄的。对于形成这样的 小部件，这给加工及形成带来了困难。而且，在窄鳍设计中，鳍状件完全或几乎耗尽，这减小了通过衬底偏置对阈值电压的控制。因此，目前技术中需要一种半导体器件，它能结合FinFET发挥优势使得在克服现有技术不足的同时提高驱动电流但不增加芯片面积的使用。
技术实现思路
为了解决现有技术中所存在的问题，根据本专利技术的一个方面，提供了一种半导体器件，所述半导...
【技术保护点】
一种半导体器件，所述半导体器件包括：衬底；在所述衬底上凸起的鳍状件；所述鳍状件包括：内部部分，具有第一带隙和第一晶体取向；以及外部部分，在所述内部部分的顶面和侧壁上，所述外部部分具有第二带隙和第二晶体取向，所述第二带隙小于或等于所述第一带隙。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：吴志强，后藤贤一，谢文兴，何炯煦，王志庆，黄靖方，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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