一种应用切比雪夫带通滤波器的宽带低噪声放大器制造技术

技术编号：9200246 阅读：180 留言：0更新日期：2013-09-26 04:00

一种应用了切比雪夫滤波器的包含金属氧化物场效应管和双极性晶体管的低噪声放大电路结构。包括3个晶体管，第一个晶体管是金属氧化物场效应管，其栅极作为信号的输入端，源极相连后接偏置电流源的上端。信号从其漏极输入到第二个晶体管，也就是双极性晶体管的发射极上，双极性晶体管的基极接一固定偏置电压，使其始终工作在放大状态。输出信号接双极性晶体管的集电极，同时输出端也与两个电阻负载相连，电阻负载另外一端连电源电压。首先共源共基电路将输入电压信号转换为电流信号，然后流过两个电阻负载变为电压信号输出。在线性度方面，MOSFET满足平方律特性，双极型晶体管满足指数律特性，MOSFET线性度优于双极型晶体管，因此第二个晶体管选用MOSFET。如果MOSFET的尺寸选择合理，则该结构的1dB增益压缩等衡量线性度的指标将会大幅改进。